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Kronos垂直梯度凝固法系統(tǒng)，用以解決基本工藝問(wèn)題。該系統(tǒng)的高工作壓力意味著，即使其組分具有高蒸氣壓的材料也可以結(jié)晶。該系統(tǒng)可在10-40巴的壓力范圍內(nèi)用于不同化合物半導(dǎo)體的結(jié)晶。這種方法支持晶體的工業(yè)化生產(chǎn)，例如砷化鎵（GaAs）的工業(yè)化生產(chǎn)可以通過(guò)在最大10巴壓力的標(biāo)準(zhǔn)版設(shè)備實(shí)現(xiàn)，而磷化銦（InP）的生產(chǎn)可以在最大40巴壓力的標(biāo)準(zhǔn)版設(shè)備中實(shí)現(xiàn)。

SiCma系統(tǒng)專為通過(guò)物理氣相傳輸系統(tǒng)（PVT）的方式生產(chǎn)碳化硅晶體而開(kāi)發(fā)。在此過(guò)程中，粉末狀的原材料在高溫下被加熱和升華，最后沉積在特定準(zhǔn)備的基片上。這項(xiàng)工藝將通過(guò)使用一個(gè)感應(yīng)線圈在千赫茲范圍內(nèi)完成加熱。隨著全球工業(yè)領(lǐng)域環(huán)保意識(shí)的提高，PVA TePla也緊跟時(shí)代步伐，通過(guò)對(duì)該感應(yīng)線圈進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì)以實(shí)現(xiàn)低能源消耗。

SR110區(qū)熔法硅芯爐的工作方式與區(qū)熔系統(tǒng)類似。該系統(tǒng)使用一個(gè)在高頻感應(yīng)線圈下直徑為100毫米的多晶硅棒（源棒）。根據(jù)硅棒的長(zhǎng)度，在多個(gè)拉動(dòng)工藝中可以產(chǎn)生特定數(shù)量的硅芯；然后這些硅芯被用作西門(mén)子下游工藝中的原棒。通過(guò)隔離閥將接收爐體與工藝爐體分開(kāi)，可以將完成的硅芯取出，并立即開(kāi)始下一個(gè)工藝。通過(guò)引入擴(kuò)散到熔體中的工藝氣體可以對(duì)細(xì)桿進(jìn)行摻雜處理。

FZ-30和FZ-35區(qū)熔晶體生長(zhǎng)系統(tǒng)專為工業(yè)生產(chǎn)直徑達(dá)200毫米（8英寸）的單晶硅晶體而設(shè)計(jì)。根據(jù)源棒的尺寸，可以拉出長(zhǎng)度為2000毫米的晶體。在這個(gè)過(guò)程中，晶體的直徑和液態(tài)區(qū)的高度可以用攝像系統(tǒng)來(lái)監(jiān)測(cè)。該系統(tǒng)采用無(wú)接觸熔化工藝，通過(guò)使用渦輪分子泵和超純氬氣作為工藝氣體，產(chǎn)生高極限真空環(huán)境，有效地防止了工藝過(guò)程中的污染。

單腔立式甩干機(jī)適用于晶圓直徑至200mm；25片晶圓單盒工藝；標(biāo)準(zhǔn)的高邊和低邊花籃；可選內(nèi)置電阻率檢測(cè)傳感器來(lái)控制晶圓的清洗工藝；用冷或熱的N2輔助晶圓干燥；離心頭容易更換。 去靜電裝置安裝于工藝腔室區(qū)：去離子水回收；去阻率檢測(cè)裝置；機(jī)械手自動(dòng)加載；可放置臺(tái)面操作的設(shè)備、單立、雙腔；去離子水加熱系統(tǒng)；底座置放不銹鋼滾輪；溶劑滅火裝置；適用特殊設(shè)計(jì)的花籃。

FZ-14M(G)區(qū)熔晶體生長(zhǎng)系統(tǒng)為制備單晶硅晶體樣品而設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)，該系統(tǒng)用于工業(yè)多晶硅生產(chǎn)中的材料分析。生產(chǎn)過(guò)程中的小型多晶體樣品在氬氣環(huán)境中被感應(yīng)熔化，并在籽晶上結(jié)晶，形成單晶，然后進(jìn)行光譜分析，以檢測(cè)和記錄所生產(chǎn)的多晶硅質(zhì)量。該系統(tǒng)采用無(wú)接觸熔化工藝，通過(guò)使用渦輪分子泵和超純氬氣作為工藝氣體，產(chǎn)生高極限真空環(huán)境，有效地防止了工藝過(guò)程中的污染。