1. 產(chǎn)品概述：

垂直梯度凝固法系統(tǒng) Kronos 是 PVA TePla 公司推出的一種先進(jìn)材料制備設(shè)備。它主要利用垂直梯度凝固技術(shù)，在特定的溫度和氣氛條件下，使材料從熔體中定向凝固生長(zhǎng)，從而獲得高質(zhì)量、具有特定晶體結(jié)構(gòu)和性能的材料。

2. 設(shè)備應(yīng)用：

· 半導(dǎo)體材料領(lǐng)域：用于生長(zhǎng)半導(dǎo)體晶體，如硅、鍺等，這些晶體是制造集成電路、電子器件的基礎(chǔ)材料，所生長(zhǎng)的高質(zhì)量晶體可以提高半導(dǎo)體器件的性能和可靠性。

· 光電材料領(lǐng)域：可制備用于發(fā)光二極管（LED）、激光二極管等器件的材料，如砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等，有助于提升光電轉(zhuǎn)換效率和發(fā)光性能。

· 太陽(yáng)能電池領(lǐng)域：用于生產(chǎn)太陽(yáng)能電池用的硅基材料，通過(guò)精確控制晶體生長(zhǎng)過(guò)程，提高太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)換效率和穩(wěn)定性。

3. 設(shè)備特點(diǎn)：

· 高精度溫度控制：配備先進(jìn)的溫度控制系統(tǒng)，能夠在整個(gè)生長(zhǎng)過(guò)程中精確控制溫度梯度，確保晶體生長(zhǎng)的穩(wěn)定性和均勻性，從而獲得高質(zhì)量的晶體材料。例如，在生長(zhǎng)硅晶體時(shí)，可精確控制溫度在極小的范圍內(nèi)波動(dòng)，保證硅晶體的結(jié)構(gòu)完整性和電學(xué)性能。

· 優(yōu)化的生長(zhǎng)氣氛：可以精確控制生長(zhǎng)環(huán)境中的氣體成分和壓力，為晶體生長(zhǎng)創(chuàng)造最佳的氣氛條件，有效減少雜質(zhì)和缺陷的形成。比如在生長(zhǎng)某些對(duì)氧含量敏感的晶體時(shí)，能?chē)?yán)格控制氧氣的含量，防止晶體被氧化。

· 自動(dòng)化程度高：系統(tǒng)具備高度自動(dòng)化的操作流程，從材料裝填、生長(zhǎng)參數(shù)設(shè)置到生長(zhǎng)過(guò)程監(jiān)控和結(jié)束后的處理，都可以實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化控制，減少了人工干預(yù)帶來(lái)的誤差和不確定性，提高了生產(chǎn)效率和產(chǎn)品質(zhì)量的穩(wěn)定性。

· 可定制化：能夠根據(jù)不同用戶的需求和特定材料的生長(zhǎng)要求，進(jìn)行定制化的設(shè)計(jì)和調(diào)整，滿足多樣化的科研和生產(chǎn)需求。例如，對(duì)于不同尺寸和形狀的晶體生長(zhǎng)需求，可調(diào)整設(shè)備的腔體結(jié)構(gòu)和相關(guān)部件

4. 產(chǎn)品參數(shù)（以部分為例）：

材料：砷化鎵，磷化銦

坩堝直徑：4–6"

坩堝高度:高達(dá)450 mm

爐室直徑：800 mm

爐室高度:975 mm

工作壓力:大40 bar

尺寸規(guī)格

高度:2,900 mm

寬度:1,650 mm

深度:1,350 mm

設(shè)備總重量:3,500 kg