當(dāng)前位置:首頁(yè) > 技術(shù)文章
WLCSP(WaferLevelChipScalePackaging)即晶圓級(jí)芯片封裝方式,不同于傳統(tǒng)的芯片封裝方式(先切割再封測(cè),而封裝后至少增加原芯片20%的體積),此種技術(shù)是先在整片晶圓上進(jìn)行封裝和測(cè)試,然后才切割成一個(gè)個(gè)的IC顆粒,...
多路溫度記錄儀是一種用于實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)和記錄多個(gè)溫度點(diǎn)的設(shè)備,廣泛應(yīng)用于工業(yè)生產(chǎn)、科研實(shí)驗(yàn)、環(huán)境監(jiān)測(cè)等領(lǐng)域。能夠同時(shí)連接多個(gè)溫度傳感器,并將各通道的數(shù)據(jù)集中顯示、記錄和分析,大大提高了工作效率和數(shù)據(jù)準(zhǔn)確性。多路溫度記錄儀的工作原理:1.傳感器布置:根據(jù)實(shí)際需求,在待測(cè)位置安裝相應(yīng)數(shù)量的溫度傳感器(如熱電偶、RTD、熱敏電阻等)。2.信號(hào)采集:內(nèi)置多通道模擬輸入模塊,可以接收來(lái)自各個(gè)傳感器的電信號(hào)。3.模數(shù)轉(zhuǎn)換:將接收到的模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào),便于后續(xù)處理。4.數(shù)據(jù)處理:內(nèi)置微處理...
有掩膜光刻機(jī)利用光學(xué)投影系統(tǒng),將預(yù)先制作好的掩膜上的電路圖案精確地投影到涂有光刻膠的硅片表面。經(jīng)過(guò)曝光和顯影處理后,光刻膠會(huì)在硅片表面形成所需的電路圖案。隨后,通過(guò)離子注入或刻蝕等工藝步驟,將電路圖案轉(zhuǎn)移到硅片上,形成實(shí)際的集成電路。有掩膜光刻機(jī)的功能特點(diǎn):1.高精度:采用先進(jìn)的光學(xué)系統(tǒng)和精密的機(jī)械結(jié)構(gòu),能夠?qū)崿F(xiàn)亞微米級(jí)別的分辨率,滿足高精度集成電路制造的需求。2.高效率:具備快速曝光和顯影功能,能夠在短時(shí)間內(nèi)完成大量硅片的光刻處理,提高生產(chǎn)效率。3.靈活性:支持多種不同尺寸...
脈沖激光沉積鍍膜機(jī)PLD是一種利用脈沖激光進(jìn)行薄膜沉積的技術(shù)。這種技術(shù)廣泛應(yīng)用于材料科學(xué)、光學(xué)鍍膜、電子器件等領(lǐng)域,特別是在制備復(fù)雜氧化物薄膜、高溫超導(dǎo)薄膜、生物相容薄膜等高性能薄膜方面表現(xiàn)出特殊的優(yōu)勢(shì)。工作原理基于激光與固體材料的相互作用。當(dāng)高能脈沖激光照射到靶材上時(shí),靶材表面會(huì)被快速加熱、熔化、蒸發(fā)甚至離子化,形成等離子體羽。這些等離子體在真空或背景氣體的環(huán)境中沉積到附近的基片上,形成薄膜。脈沖激光沉積鍍膜機(jī)PLD的結(jié)構(gòu)特點(diǎn):1.激光發(fā)生器:產(chǎn)生高能量的脈沖激光,常見(jiàn)的有...
脈沖激光沉積鍍膜機(jī)PLD技術(shù)是一種利用高能脈沖激光對(duì)材料進(jìn)行蒸發(fā),從而在基底上沉積薄膜的先進(jìn)鍍膜技術(shù)。這種技術(shù)廣泛應(yīng)用于各種薄膜制備領(lǐng)域,如半導(dǎo)體薄膜、超導(dǎo)薄膜、納米薄膜等。PLD技術(shù)以其優(yōu)勢(shì),如保留了靶材料的化學(xué)計(jì)量比、能夠制備復(fù)雜成分的薄膜等,在材料科學(xué)和表面工程領(lǐng)域占有重要地位。PLD技術(shù)基于激光與固體物質(zhì)相互作用的原理。當(dāng)高能脈沖激光照射到靶材料上時(shí),靶材料表面會(huì)被瞬間加熱至蒸發(fā),形成高溫等離子體羽。這些等離子體羽中包含的粒子具有與靶材料相同的化學(xué)計(jì)量比,它們?cè)谡婵罩?..
分子束外延薄膜沉積系統(tǒng)MBE是一種在高真空條件下,利用分子束或原子束進(jìn)行材料生長(zhǎng)的技術(shù)。該系統(tǒng)通過(guò)精確控制不同源材料的分子束強(qiáng)度,實(shí)現(xiàn)對(duì)薄膜材料組分、摻雜和結(jié)構(gòu)的精細(xì)調(diào)控,是現(xiàn)代半導(dǎo)體物理實(shí)驗(yàn)室和光電子器件研究中的重要設(shè)備。在MBE系統(tǒng)中,被加熱的源材料會(huì)在超高真空環(huán)境下蒸發(fā)形成分子束或原子束,這些束流直接噴射到襯底上,并在其上沉積生長(zhǎng)成薄膜。由于是在高真空環(huán)境下進(jìn)行,分子束在傳輸過(guò)程中幾乎不會(huì)與殘余氣體發(fā)生碰撞,因此能夠保證制備的薄膜具有高的純度和精確的摻雜分布。分子束外延...