FZ-14M(G) 區(qū)熔晶體生長(zhǎng)系統(tǒng)可在線圈下放置顆粒硅料，使用籽晶將熔融的顆粒硅拉出用于材料分析的小單晶棒， 在拉制過(guò)程中顆粒硅容器和籽晶旋轉(zhuǎn)方向相反。此外，上主軸可以在X或Y方向移動(dòng)。

產(chǎn)品數(shù)據(jù)概覽：

材料：硅

晶體

晶體拉動(dòng)長(zhǎng)度 350 mm

晶體直徑： 最長(zhǎng)可達(dá) 25 mm

最后真空度： 2.5 x 10-5 mbar

最大過(guò)壓： 2 bar(g)

發(fā)電機(jī)

輸出電壓： 15 kW

頻率： 2.4 MHz (FZ-14M)

上軸

進(jìn)料速度： 最高 30 mm/min

上部旋轉(zhuǎn)： 最高 30 rpm

下軸

拉動(dòng)速度： 最高 30 mm/min

下部旋轉(zhuǎn)： 最高 30 rpm

尺寸規(guī)格

高度： 3,000 mm

寬度： 1,020 mm

深度 1,640 mm

面積（總）: 1,800 mm x 4,000 mm

重量（總）： 約2,500 kg

區(qū)熔（FZ）技術(shù)作為提純方法為生產(chǎn)高電阻率的超純硅單晶提供了技術(shù)可行性，該技術(shù)可應(yīng)用于高性能電子和半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。其另一優(yōu)點(diǎn)是可以從氣相中連續(xù)摻入，這使得在整個(gè)晶體的電阻率沿長(zhǎng)度方向保持一致。因此，幾乎可以在整個(gè)晶體上均勻地實(shí)現(xiàn)所需的電性能。由于電荷載流子的高壽命和極低的氧含量（無(wú)坩堝工藝），FZ晶體同樣也適用于光伏行業(yè)。

區(qū)熔（FZ）技術(shù)作為提純方法與CZ直拉工藝等競(jìng)爭(zhēng)方法相比，FZ工藝的優(yōu)勢(shì)在于只有緊鄰感應(yīng)線圈的一小部分晶體需要被熔化，無(wú)需使用石英坩堝（每爐次耗用一個(gè)），可實(shí)現(xiàn)高拉速，因此降低了耗材成本的同時(shí)也降低了能源成本。此外，無(wú)論是從硅還是其他合適的材料中提取的晶體，可以通過(guò)多次處理，顯著地提高純度。