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當(dāng)前位置:首頁  >  產(chǎn)品中心  >  其他前道工藝設(shè)備  >  8 氧化設(shè)備、退火設(shè)備  >  RTP-150-EP快速退火爐

快速退火爐

簡要描述:由德國UNITEMP研發(fā)的真空快速退火爐RTP-150-EP,升溫速率高達(dá) 150 K/sec。主要特點(diǎn):良好的溫度均勻性、精確控制的斜坡上升速率和快速斜坡下降速率、工藝周轉(zhuǎn)時間短、舒適的氣體控制、臺式系統(tǒng),占地面積小。

  • 產(chǎn)品型號:RTP-150-EP
  • 廠商性質(zhì):經(jīng)銷商
  • 更新時間:2024-09-05
  • 訪  問  量: 178

詳細(xì)介紹

1 產(chǎn)品概述:

   快速退火爐,又稱RTPRapid Thermal Processing)快速熱處理爐,是一種用于快速熱處理、熱氧化處理、高溫退火等工藝的設(shè)備。它利用鹵素紅外燈等高效熱源,通過極快的升溫速率(可達(dá)150攝氏度/秒)和精確的溫控系統(tǒng),將晶圓或材料快速加熱到所需溫度(最高可達(dá)1200攝氏度),并在短時間內(nèi)完成退火過程,從而消除材料內(nèi)部缺陷,改善產(chǎn)品性能。快速退火爐廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、LEDMEMS、化合物半導(dǎo)體和功率器件等多種芯片產(chǎn)品的生產(chǎn)中,是現(xiàn)代微電子制造領(lǐng)域重要設(shè)備。

2 設(shè)備用途:

1、快速熱處理(RTP):用于對晶圓或材料進(jìn)行快速加熱和冷卻處理,以改善晶體結(jié)構(gòu)和光電性能。

2、快速退火(RTA):通過快速升溫和降溫過程,消除材料內(nèi)部的應(yīng)力、缺陷和雜質(zhì),提高材料的性能。

3 、熱氧化處理(RTO):在特定氣氛下對材料進(jìn)行加熱處理,形成所需的氧化物層。

4、離子注入/接觸退火:在離子注入后對材料進(jìn)行退火處理,以激活注入的離子并改善材料的電學(xué)性能。

5、 金屬合金化:如SiAu、SiAl、SiMo等合金的制備過程中,通過快速退火促進(jìn)合金化反應(yīng)。

6、 化合物合金制備:如砷化鎵、氮化物等化合物的合金制備過程中,快速退火爐也發(fā)揮著重要作用生。同時,加熱還可以促進(jìn)化學(xué)反應(yīng)的進(jìn)行,提高處理效果。

3. 設(shè)備特點(diǎn)

  1 高效加熱與快速升降溫:采用鹵素紅外燈等高效熱源,升溫速率快,最高可達(dá)150攝氏度/秒;降溫速率也快,如從1000攝氏度降到300攝氏度僅需幾分鐘。

  2 高精度溫控系統(tǒng):采用先進(jìn)的微電腦控制系統(tǒng)和PID閉環(huán)控制溫度,控溫精度可達(dá)±0.5攝氏度,溫控均勻性≤0.5%設(shè)定溫度。

  3 多功能性與靈活性:可根據(jù)用戶工藝需求配置真空腔體、多路氣體等,滿足不同工藝條件的需求。

  4 低污染與環(huán)保:試樣反應(yīng)區(qū)處在一個密閉的石英腔體內(nèi),大大降低了間接污染試樣的可能性;同時,設(shè)備在設(shè)計和制造過程中注重環(huán)保理念,減少了對環(huán)境的污染。

  5 操作簡便與自動化:配備可視化觸摸屏和智能控制系統(tǒng),設(shè)定數(shù)據(jù)和操作都是圖文界面,操作方便;同時,可實(shí)現(xiàn)單臺或多臺電爐的遠(yuǎn)程控制、實(shí)時追蹤、歷史記錄、輸出報表等功能。

4  設(shè)備參數(shù):

  • 技術(shù)參數(shù):適用于大 150 mm 6“) 或 156 mm x 156 mm 基板尺寸的單晶圓

  • (可選:100 mm 適配器)

  • 由石英玻璃制成的工藝室(室高度:40      mm

  • 帶集成氣體入口和出口

  • 包括一條帶氮?dú)赓|(zhì)量流量控制器的過程氣體管路(5 nlm = 標(biāo)準(zhǔn)升/分鐘)

  • 24 個紅外燈 (42 kW) 加熱

  • 頂部和底部加熱

  • 斜坡下降速率:T=1000 °C?400 °C      200 K/min。
         
    斜坡下降速率:T= 400 °C
    ?100 °C      30 K/min

  • 外部泵系統(tǒng)具有真空功能(高 10E-3      hPa,高 10E-6 hPa:參見      RTP-150-HV

  • SPS 過程控制器,帶 50 個程序,每個程序多 50 個步驟(以太網(wǎng)接口),SIMATIC

  • 7 英寸觸摸屏,便于編程和過程控制

  • 高氣溫 1000 °C

  • 通過熱電偶進(jìn)行溫度控制

  • 需要水冷

  • 電氣連接類型:2x[32 A CEE 插頭(3 x 230 V3 相,N,PE>

  • 烤箱尺寸:504 mm x 504      mm 700 x 570 mm(寬 x x 高)


  • 重量: 58 kg


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