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簡要描述:POLI-762是小型12英寸CMP機臺,采用手動裝片方式,可選配半自動loading托盤,氣囊薄膜柔性加壓,可配置摩擦力&溫度終點監(jiān)控系統(tǒng),用于氧化物、金屬、STI、SOI、MEMS等產(chǎn)品的平坦化拋光,應用廣泛。
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1. 產(chǎn)品概述:
CMP拋光機,全稱為化學機械拋光機,是一種針對薄膜(如介質(zhì)層)進行拋光處理的設備。它結(jié)合了化學刻蝕和機械摩擦的綜合作用,通過精確控制拋光過程中的化學和機械參數(shù),實現(xiàn)對晶圓表面材料的精細去除和平坦化處理。CMP拋光機具有操作便捷、兼容性強等特點,能夠根據(jù)不同尺寸和類型的晶圓進行適配,并通過更換拋光壓頭等方式實現(xiàn)多種拋光工藝的需求。
2. 設備用途/原理:
CMP拋光機在半導體制造中扮演著至關(guān)重要的角色,其主要用途包括:
1. 晶圓表面平坦化:在集成電路制造過程中,CMP拋光機用于對晶圓表面進行平坦化處理,以消除表面起伏和缺陷,提高晶圓表面的平整度。這對于后續(xù)工藝步驟的順利進行和芯片性能的提升至關(guān)重要。
2. 薄膜厚度控制:CMP拋光機能夠精確控制晶圓表面薄膜的厚度,確保薄膜厚度達到設計要求。這對于提高芯片的性能和可靠性具有重要意義。
3. 特殊材料加工:除了集成電路制造外,CMP拋光機還廣泛應用于3D封裝技術(shù)、特殊材料加工等領(lǐng)域。例如,在3D封裝技術(shù)中,CMP拋光機用于處理芯片之間的連接面,以確保連接的精確性和可靠性。
3. 設備特點
CMP拋光機具有以下幾個顯著特點:
1 高精度控制:CMP拋光機采用先進的控制系統(tǒng)和精密的機械結(jié)構(gòu),能夠?qū)崿F(xiàn)對拋光過程中各項參數(shù)的精確控制。這包括拋光壓力、拋光盤轉(zhuǎn)速、拋光頭轉(zhuǎn)速等關(guān)鍵參數(shù),從而確保拋光效果的穩(wěn)定性和一致性。
2 多工藝兼容:CMP拋光機具有較強的兼容性,能夠根據(jù)不同材料和工藝的需求進行適配。通過更換拋光壓頭、調(diào)整拋光液配方等方式,CMP拋光機可以實現(xiàn)對多種材料和工藝的拋光處理。
3 自動化程度高:現(xiàn)代CMP拋光機通常配備有自動化上下片系統(tǒng)、自動清洗系統(tǒng)等輔助設備,能夠?qū)崿F(xiàn)拋光過程的自動化操作。這不僅提高了生產(chǎn)效率,還降低了人工操作帶來的誤差和風險。
4 環(huán)保節(jié)能:CMP拋光機在設計和制造過程中注重環(huán)保和節(jié)能。例如,采用低能耗的電機和傳動系統(tǒng)、優(yōu)化拋光液配方以減少廢液排放等措施,都有助于降低設備運行過程中的能耗和環(huán)境污染。
綜上所述,CMP拋光機作為半導體制造領(lǐng)域的重要設備之一,具有高精度控制、多工藝兼容、自動化程度高和環(huán)保節(jié)能等特點。隨著半導體技術(shù)的不斷發(fā)展和進步,CMP拋光機也將不斷升級和完善,為半導體制造行業(yè)的發(fā)展提供更加有力的支持。
4 設備參數(shù)
項目/型號 | POLI-762 |
大晶圓尺寸 | 12英寸 |
拋光盤尺寸 | ?762mm(30inch) |
拋光盤轉(zhuǎn)速 | 30~200 RPM |
拋光頭轉(zhuǎn)速 | 30~200 RPM |
Wafer壓力 | 70~350g/cm2 氣囊柔性加壓 |
往復式修整系統(tǒng) | 可升擺臂式修整系統(tǒng) |
摩擦力&溫度監(jiān)測系統(tǒng) | 可選配,可增選EPD功能 |
半自動loading托盤 | 可選配 |
拋頭分區(qū)加壓 | 可選配 |
供液系統(tǒng)方式 | 蠕動泵,獨立3路通道 |
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