1 產(chǎn)品概述:

   SiC用高溫離子注入設(shè)備，如愛發(fā)科（Ulvac）公司推出的IH-860DSIC，是專為SiC功率器件工藝制程中離子注入和激活退火技術(shù)難題設(shè)計(jì)的專用設(shè)備。該設(shè)備搭載了高溫ESC（靜電吸附卡盤），能夠在高溫環(huán)境下實(shí)現(xiàn)高能粒子的連續(xù)注入，有效解決了SiC晶圓在離子注入過程中易產(chǎn)生結(jié)晶缺陷的問題。

2 設(shè)備用途：

   SiC用高溫離子注入設(shè)備主要用于SiC功率器件（如SiC-SBD和SiC-MOSFET）的生產(chǎn)工藝中，特別是在離子注入和激活退火環(huán)節(jié)。通過該設(shè)備，可以實(shí)現(xiàn)高溫下的高能離子注入，控制注入離子的濃度和深度，從而改善SiC器件的物理特性、表面特性及電學(xué)特性。這對(duì)于提升SiC功率器件的性能和可靠性至關(guān)重要。

3 設(shè)備特點(diǎn)

  高溫處理能力：設(shè)備能夠在500℃的高溫下進(jìn)行離子注入，有效控制SiC晶圓在注入過程中產(chǎn)生的結(jié)晶缺陷。

  高能粒子注入：支持高能量的離子注入，如1價(jià)離子可注入至350keV（Option: 430keV），2價(jià)離子可注入至700keV（Option: 860keV），滿足SiC晶圓對(duì)注入能量的高要求。

  高吞吐量：通過采用可調(diào)溫的靜電吸盤和雙工位系統(tǒng)結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)了晶圓在真空腔內(nèi)的連續(xù)更換和高溫處理，將吞吐量提升至30枚/小時(shí)（支持直徑為75mm-150mm的晶圓），滿足量產(chǎn)需求。

  自動(dòng)化與智能化：設(shè)備具備自動(dòng)連續(xù)高溫處理注入的功能，減輕了操作員的負(fù)擔(dān)，同時(shí)提高了生產(chǎn)效率和一致性。
4 技術(shù)參數(shù)和特點(diǎn)：

•可實(shí)現(xiàn)自動(dòng)連續(xù)高溫處理注入

•1價(jià)離子可注入至350keV、2價(jià)離子可注入至700keV

（Option：1價(jià)離子可注入至430keV、2價(jià)離子可注入至860keV）

•通過Dual-End-Station（雙工位）實(shí)現(xiàn)高產(chǎn)能；

（A系4"高溫ESC/B系3"高溫ESC、A系6"高溫ESC/B系6"常溫ESC等等，可配合客戶的希望就行規(guī)格配置）

•可減輕操作員的負(fù)擔(dān)，緊湊式設(shè)計(jì)

•可大范圍對(duì)應(yīng)從試作到量產(chǎn)的各類需求