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真空手套箱產(chǎn)品參數(shù): 1. 水含量: 1ppm 2. 氧含量: 1ppm 3. 材料:304不銹鋼,厚度3mm 4. 外表面:304不銹鋼 5. 功能:氣體密封,除水、除氧
接觸角測(cè)試儀 技術(shù)參數(shù): 1. 光學(xué)成像系統(tǒng):基礎(chǔ)照度0.001Lux、水平600線工業(yè)級(jí)黑白相機(jī),放大倍率0.7~4.5X 2. 進(jìn)樣系統(tǒng):基礎(chǔ)進(jìn)樣量可控制為70pL,可自動(dòng)進(jìn)液 3. 樣品臺(tái)移動(dòng)控制:X-Y 100*100mm(可定做), Z 25mm 4. 樣品臺(tái)尺寸:100*100mm(可定做)技術(shù)參數(shù)
傅里葉紅外光譜儀 一、應(yīng)用:用于半導(dǎo)體材料內(nèi)部含量檢測(cè),同質(zhì)外延厚度測(cè)量和其他應(yīng)用,用于*進(jìn)的半導(dǎo)體工廠,在硅生長(zhǎng)和器件制造領(lǐng)域進(jìn)行材料表征 二、技術(shù)參數(shù): 1.光譜范圍:遠(yuǎn)紅外、中紅外、近紅外、可見光 2. 信噪比:55000:1 3.光譜分辨率(cm-1):0.09電阻率: 1.0μ - 300.0k Ω.cm
四探針電阻率測(cè)試儀的應(yīng)用:半導(dǎo)體材料、太陽能電池材料(硅、多晶硅、碳化硅等),新材料、功能材料(碳納米管、DLC、石墨烯、Ag納米線等)、導(dǎo)電薄膜(金屬、離子等),擴(kuò)散層,硅相關(guān)外延材料,離子注入樣品。
冷熱沖擊試驗(yàn)箱 技術(shù)參數(shù): 1. 溫度范圍:周圍環(huán)境溫度+50 +200℃ -70~0℃ 3溫區(qū) 2. 高溫曝露到+200℃:15分鐘以內(nèi) 3. 常溫曝露:5分鐘 4. 低溫曝露:-65℃15分鐘