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通過(guò)采用結(jié)合空心陽(yáng)極離子槍和磁控管離子槍的新型離子槍，可實(shí)現(xiàn)了超精細(xì)結(jié)構(gòu)的薄膜。

AE物理氣相沉積平臺(tái)Nexdep PVD在經(jīng)濟(jì)性和多功能性之間取得了平衡。它可以配備強(qiáng)大的工藝增強(qiáng)功能，而不會(huì)占用實(shí)驗(yàn)室的所有空間或預(yù)算。您的研究目標(biāo)、生產(chǎn)需求和/或應(yīng)用最終目標(biāo)將告知如何裝備您的 Nexdep PVD 平臺(tái)。

科瓦普物理氣相沉積平臺(tái)COVAP PVD 為許多過(guò)程應(yīng)用提供了緊湊、經(jīng)濟(jì)且仍然強(qiáng)大的解決方案。專為需要安全可靠的工具的實(shí)驗(yàn)室而設(shè)計(jì)，該工具可在緊湊的占地面積內(nèi)生產(chǎn)可重復(fù)的高質(zhì)量薄膜。沉積源被隔離，以減少熱效應(yīng)和交叉污染。配備了一整套可拆卸的腔室屏蔽層，以確保腔室易于清潔和維護(hù)。在腔室打開(kāi)時(shí)，源、級(jí)功率和氣動(dòng)壓力被切斷，確保了優(yōu)良的安全性。它可以集成到手套箱中，也可以在獨(dú)立配置中選擇.

MS450高真空磁控濺射鍍膜設(shè)備詳細(xì)組成及功能如下： 真空室：提供高真空環(huán)境，確保鍍膜過(guò)程的純凈性。 濺射靶槍：用于安裝濺射靶材，通過(guò)高能粒子轟擊靶材表面，使靶材原子或分子濺射出來(lái)并沉積在樣品上形成薄膜。 濺射電源：為濺射靶槍提供所需的電能，控制濺射過(guò)程的穩(wěn)定性和效率。 加熱樣品臺(tái)：用于加熱樣品，以改善薄膜的附著力和結(jié)晶質(zhì)量。 流量控制系統(tǒng)：精確控制鍍膜過(guò)程中所需氣體的流量，確保鍍膜成分的準(zhǔn)確性

Ganister™ A離子束沉積設(shè)備，是針對(duì)低溫、高致密、高均勻性薄膜沉積工藝所開(kāi)發(fā)的專用產(chǎn)品，在硬盤(pán)磁頭、硬磁偏置層、布拉格反射鏡等器件的制備中有著重要的應(yīng)用。該設(shè)備采用濺射成膜，靶材選擇范圍廣。而其采用的四槽旋轉(zhuǎn)靶材基座，更可處理多達(dá)四種靶材。選配的輔助離子源，可以實(shí)現(xiàn)原位預(yù)清洗、優(yōu)化膜層致密性等功能。此外，Ganister™ A的輔助離子源也可進(jìn)行離子束刻蝕，一個(gè)腔室內(nèi)兼?zhèn)鋬煞N工藝，顯著提高

高真空電子束蒸發(fā)薄膜沉積系統(tǒng)主要由蒸發(fā)室、主抽過(guò)渡管路、旋轉(zhuǎn)基片架、光加熱系統(tǒng)、電子槍及電源、石英晶體振蕩膜厚監(jiān)控儀、工作氣路、抽氣系統(tǒng)、控制系統(tǒng)、安裝機(jī)臺(tái)等部分組成，體現(xiàn)立方整體外觀，適用于超凈間間壁隔離安裝，操作面板一端處在相對(duì)要求較高超凈環(huán)境，其余部分（含低溫泵抽系統(tǒng)）處在相對(duì)要求較低超凈環(huán)境。 本系統(tǒng)配有一套電子槍及電源，可滿足在Al，Ni，Ag，Pt，Pd，Mo,Cr和Ti等多種金屬