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簡要描述:高真空電子束蒸發(fā)薄膜沉積系統(tǒng)主要由蒸發(fā)室、主抽過渡管路、旋轉(zhuǎn)基片架、光加熱系統(tǒng)、電子槍及電源、石英晶體振蕩膜厚監(jiān)控儀、工作氣路、抽氣系統(tǒng)、控制系統(tǒng)、安裝機臺等部分組成,體現(xiàn)立方整體外觀,適用于超凈間間壁隔離安裝,操作面板一端處在相對要求較高超凈環(huán)境,其余部分(含低溫泵抽系統(tǒng))處在相對要求較低超凈環(huán)境。本系統(tǒng)配有一套電子槍及電源,可滿足在Al,Ni,Ag,Pt,Pd,Mo,Cr和Ti等多種金屬
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1. 產(chǎn)品概述:
高真空電子束蒸發(fā)薄膜沉積系統(tǒng)是一種先進的物理氣相沉積(PVD)技術(shù)設(shè)備,主要用于在超高真空環(huán)境下,通過電子束加熱蒸發(fā)源材料,使其蒸發(fā)并在基片表面沉積形成薄膜。該系統(tǒng)廣泛應(yīng)用于物理學、材料科學、動力與電氣工程等域,特別適用于納米材料、太陽能光伏電池、半導體器件等高精度薄膜的制備。
2 設(shè)備用途/原理:
1. 薄膜制備:該系統(tǒng)能夠制備各種金屬、半導體、氧化物等材料的薄膜,滿足不同材料和器件的制備需求。
2. 科學研究:在材料科學研究中,用于探索新材料、新結(jié)構(gòu)的物理和化學性質(zhì)。
3. 工業(yè)生產(chǎn):在半導體、光電子、太陽能電池等行業(yè)中,用于大規(guī)模生產(chǎn)高精度、高質(zhì)量的薄膜產(chǎn)品。
3 設(shè)備特點
CMP拋光機具有以下幾個顯著特點:
1 高真空度:系統(tǒng)能夠達到高的真空度(≤6.0E-5Pa),有助于減少薄膜制備過程中的雜質(zhì)和氣體干擾,提高薄膜質(zhì)量。
2 電子束加熱:采用電子束加熱技術(shù),具有熱效率高、束流密度大、蒸發(fā)速度快等優(yōu)點,能夠蒸發(fā)高熔點材料,制備高純薄膜。
3 多源蒸發(fā):系統(tǒng)配備多個蒸發(fā)源(如6個40cc坩堝),可同時或分別蒸發(fā)多種不同材料,實現(xiàn)多層膜的均勻沉積。
4 精確控制:配備高精度的膜厚監(jiān)控儀和控制系統(tǒng),能夠?qū)崿F(xiàn)對薄膜厚度、成分和結(jié)構(gòu)的精確控制,確保薄膜的均勻性和一致性。
5 靈活定制:樣品尺寸及數(shù)量可定制,工件架有拱形基片架和行星形基片架等多種選擇,可根據(jù)用戶基片尺寸設(shè)計工件架。
6 穩(wěn)定可靠:系統(tǒng)整體設(shè)計合理,結(jié)構(gòu)緊湊,具有良好的設(shè)備穩(wěn)定性和可靠性,以及完善的售后及質(zhì)保服務(wù)。
綜上所述,高真空電子束蒸發(fā)薄膜沉積系統(tǒng)以其高真空度、高精度、多源蒸發(fā)和靈活定制等特點,在薄膜制備域具有廣泛的應(yīng)用景和重要的科學價值。
4 特色參數(shù):
本系統(tǒng)配有一套電子槍及電源,可滿足在Al,Ni,Ag,Pt,Pd,Mo,Cr和Ti等多種金屬和介質(zhì)膜基片上均勻沉積多層膜的需要。
真空室結(jié)構(gòu):U形開門
真空室尺寸:700x700x900mm
限真空度:≤6.6E-5Pa
沉積源:6個40cc坩堝
樣品尺寸,溫度:φ4英寸,26片,高300℃
占地面積(長x寬x高):約3.2米x3.9米x2.1米
電控描述:全自動控制系統(tǒng):
通過工控機和 PLC 實現(xiàn)對整個系統(tǒng)的控制,具有自動和手動控制兩種功能,操作過程可在觸摸屏上進行,提供配方設(shè)置、真空系統(tǒng)、電子槍系統(tǒng)、工藝系統(tǒng)、充氣系統(tǒng)、冷卻系統(tǒng)等人機操作界面;在工控機上可通過配方式參數(shù)設(shè)置方式實現(xiàn)對程序工藝過程和設(shè)備參數(shù)的設(shè)置。
工藝:片內(nèi)膜厚均勻性:≤±3%
特色參數(shù) :工件架有拱形基片架和行星形基片架:可根據(jù)用戶基片尺寸設(shè)計工件架
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