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高真空等離子體增強化學氣相薄膜沉積

簡要描述:高真空等離子體增強化學氣相薄膜沉積系統(tǒng)主要由真空反應室、上蓋組件、噴淋頭裝置、熱絲架、基片加熱臺、工作氣路、抽氣系統(tǒng)、安裝機臺、真空測量及電控系統(tǒng)等部分組成。
本系統(tǒng)具有PECVD功能和熱絲CVD功能。
設備用途:
PECVD即是化學氣相沉積法,是一種化工技術(shù),該技術(shù)主要是利用含有薄膜元素的一種或幾種氣相化合物或單質(zhì)、在襯底表面上進行化學反應生成薄膜的方法。

  • 產(chǎn)品型號:PECVD
  • 廠商性質(zhì):經(jīng)銷商
  • 更新時間:2024-08-13
  • 訪  問  量: 158

詳細介紹

產(chǎn)品概述:
系統(tǒng)主要由真空反應室、上蓋組件、噴淋頭裝置、熱絲架、基片加熱臺、工作氣路、抽氣系統(tǒng)、安裝機臺、真空測量及電控系統(tǒng)等部分組成。
本系統(tǒng)具有PECVD功能和熱絲CVD功能。

設備用途:
PECVD即是化學氣相沉積法,是一種化工技術(shù),該技術(shù)主要是利用含有薄膜元素的一種或幾種氣相化合物或單質(zhì)、在襯底表面上進行化學反應生成薄膜的方法。化學氣相淀積是近幾十年發(fā)展起來的制備無機材料的新技術(shù)?;瘜W氣相淀積法已經(jīng)廣泛用于提純物質(zhì)、研制新晶體、淀積各種單晶、多晶或玻璃態(tài)無機薄膜材料。這些材料可以是氧化物、硫化物、氮化物、碳化物,也可以是III-V、II-IV、IV-VI族中的二元或多元的元素間化合物,而且它們的物理功能可以通過氣相摻雜的淀積過程精確控制?;瘜W氣相淀積已成為無機合成化學的一個新領域,PCEVD是等離子體增強化學氣相沉積英文的各個詞字母的字母。

真空室結(jié)構(gòu):
圓筒形上升蓋


真空室尺寸:
φ400x300mm


極限真空度:
≤6.67E-5Pa


沉積源:
設計待定


樣品尺寸,溫度:
φ4英寸,1片,最高600℃


占地面積(長x寬x高):
約2.6米x1.6米x1.8米


電控描述:
全自動


工藝:


特色參數(shù) :






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