當前位置:首頁 > 產(chǎn)品中心 > 半導體前道工藝設備 > 3 CVD > PECVD高真空等離子體增強化學氣相薄膜沉積
簡要描述:高真空等離子體增強化學氣相薄膜沉積系統(tǒng)主要由真空反應室、上蓋組件、噴淋頭裝置、熱絲架、基片加熱臺、工作氣路、抽氣系統(tǒng)、安裝機臺、真空測量及電控系統(tǒng)等部分組成。本系統(tǒng)具有PECVD功能和熱絲CVD功能。設備用途:PECVD即是化學氣相沉積法,是一種化工技術(shù),該技術(shù)主要是利用含有薄膜元素的一種或幾種氣相化合物或單質(zhì)、在襯底表面上進行化學反應生成薄膜的方法。
產(chǎn)品分類
Product Category相關(guān)文章
Related Articles詳細介紹
產(chǎn)品概述:
系統(tǒng)主要由真空反應室、上蓋組件、噴淋頭裝置、熱絲架、基片加熱臺、工作氣路、抽氣系統(tǒng)、安裝機臺、真空測量及電控系統(tǒng)等部分組成。
本系統(tǒng)具有PECVD功能和熱絲CVD功能。
設備用途:
PECVD即是化學氣相沉積法,是一種化工技術(shù),該技術(shù)主要是利用含有薄膜元素的一種或幾種氣相化合物或單質(zhì)、在襯底表面上進行化學反應生成薄膜的方法。化學氣相淀積是近幾十年發(fā)展起來的制備無機材料的新技術(shù)?;瘜W氣相淀積法已經(jīng)廣泛用于提純物質(zhì)、研制新晶體、淀積各種單晶、多晶或玻璃態(tài)無機薄膜材料。這些材料可以是氧化物、硫化物、氮化物、碳化物,也可以是III-V、II-IV、IV-VI族中的二元或多元的元素間化合物,而且它們的物理功能可以通過氣相摻雜的淀積過程精確控制?;瘜W氣相淀積已成為無機合成化學的一個新領域,PCEVD是等離子體增強化學氣相沉積英文的各個詞字母的字母。
產(chǎn)品咨詢