當(dāng)前位置:首頁(yè) > 產(chǎn)品中心 > 半導(dǎo)體分析測(cè)試設(shè)備 > 分析測(cè)試設(shè)備 > SENTECH SLI激光干涉儀
簡(jiǎn)要描述:用于SENTECH Instruments等離子系統(tǒng)的SENTECH SLI激光干涉儀端點(diǎn)監(jiān)測(cè)器與聚焦的相干激光束一起工作。激光束穿過(guò)等離子系統(tǒng)的頂部視口,并被樣品反射。反射光照射到檢測(cè)器上并測(cè)量強(qiáng)度。
產(chǎn)品分類
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1. 產(chǎn)品概述
用于SENTECH Instruments等離子系統(tǒng)的SENTECH SLI激光干涉儀端點(diǎn)監(jiān)測(cè)器與聚焦的相干激光束一起工作。激光束穿過(guò)等離子系統(tǒng)的頂部視口,并被樣品反射。反射光照射到檢測(cè)器上并測(cè)量強(qiáng)度。
2. 主要功能與優(yōu)勢(shì)
用于蝕刻和沉積工藝的自動(dòng)激光終點(diǎn)檢測(cè)
使用SENTECH SLI激光干涉儀進(jìn)行原位測(cè)量特別適用于監(jiān)測(cè)透明層的終點(diǎn)檢測(cè)、透明層界面的終點(diǎn)檢測(cè)以及蝕刻不透明薄膜和在界面上停留的終點(diǎn)檢測(cè)。
多層模式順序端點(diǎn)配方
多終點(diǎn)配方包括 EPD 的多個(gè)條件,這些條件按順序執(zhí)行,從而可以在多層蝕刻過(guò)程中根據(jù)單個(gè)薄膜特性更改等離子體工藝參數(shù)。
與SENTECH操作軟件SIA集成的終點(diǎn)檢測(cè)
SENTECH SLI激光干涉儀可以與SENTECH操作軟件SIA集成,用于特定的終點(diǎn)檢測(cè)配方,通過(guò)使用簡(jiǎn)單的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)命令行直接參數(shù)化終點(diǎn)監(jiān)測(cè)。
3. 靈活性和模塊化
SENTECH SLI 激光干涉儀原位光學(xué)計(jì)量終點(diǎn)監(jiān)測(cè)儀可與整個(gè)系列的 SENTECH 等離子蝕刻和沉積處理系統(tǒng)一起使用,它與穿過(guò)等離子系統(tǒng)頂部視口的聚焦相干激光束一起工作,然后被樣品反射以準(zhǔn)確測(cè)量強(qiáng)度。
單獨(dú)的照明 (LED) 和 CCD 攝像頭用于觀察樣品和調(diào)整激光光斑。整個(gè)終點(diǎn)監(jiān)視器由自動(dòng) x y 載物臺(tái)移動(dòng),允許使用 SENTECH SIA 操作軟件系統(tǒng)輕松進(jìn)行點(diǎn)調(diào)整。
使用 SENTECH SLI 激光干涉儀進(jìn)行自動(dòng)原位測(cè)量非常適合在蝕刻或生長(zhǎng)透明層或?qū)訝罱Y(jié)構(gòu)時(shí)監(jiān)測(cè)層厚度。
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