高真空磁控濺射與離子束復(fù)合薄膜沉積系統(tǒng)

簡(jiǎn)要描述：產(chǎn)品概述：
高真空磁控濺射與離子束復(fù)合薄膜沉積系統(tǒng)可用于制備光學(xué)薄膜、電學(xué)薄膜、磁性薄膜、硬質(zhì)保護(hù)薄膜和裝飾薄膜等，工藝性能穩(wěn)定、模塊化結(jié)構(gòu)，采用可行軟件控制系統(tǒng)。
設(shè)備用途：
用于納米級(jí)單層及多層功能膜、硬質(zhì)膜、金屬膜、半導(dǎo)體膜、介質(zhì)膜等新型薄膜材料的制備?？蓮V泛應(yīng)用于大專院校、科研院所的薄膜材料的科研項(xiàng)目。

產(chǎn)品型號(hào)：FJL560
廠商性質(zhì)：經(jīng)銷商
更新時(shí)間：2024-09-05
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1.產(chǎn)品概述：

高真空磁控濺射與離子束復(fù)合薄膜沉積系統(tǒng)可用于制備光學(xué)薄膜、電學(xué)薄膜、磁性薄膜、硬質(zhì)保護(hù)薄膜和裝飾薄膜等，工藝性能穩(wěn)定、模塊化結(jié)構(gòu)，采用行業(yè)先的軟件控制系統(tǒng)，用于納米單層及多層功能膜、硬質(zhì)膜、金屬膜、半導(dǎo)體膜、介質(zhì)膜等新型薄膜材料的制備?？蓮V泛應(yīng)用于大院校、科研院所的薄膜材料的科研項(xiàng)目。

2.產(chǎn)品工藝：

真空室結(jié)構(gòu):圓筒形上升蓋

真空室尺寸:φ550x450mm

限真空度:≤6.0E-5Pa

沉積源:磁控靶3套，φ2英寸；

四工位轉(zhuǎn)靶1套；

樣品尺寸，溫度:φ2英寸，6片。高可以到達(dá)800℃

占地面積（長(zhǎng)x寬x高）:約3米×1.1米×2米

電控描述:全自動(dòng)控制

工藝:片內(nèi)膜厚均勻性：≤±3%

濺射源：考夫曼離子源 Kaufman 2套，φ2英寸

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