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簡要描述:Epiluvac 產(chǎn)品通常作為完整的系統(tǒng)交付,包括反應(yīng)器模塊、氣體輸送系統(tǒng)、過程控制、安全系統(tǒng)、安裝和調(diào)試。每個系統(tǒng)在發(fā)貨前都經(jīng)過廣泛的測試,一旦安裝,交付還包括所有必要的客戶操作和維護培訓(xùn)。
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Epiluvac ER3-C1
晶圓直徑可達 200 mm (8“)
通過熱壁拓撲結(jié)構(gòu)實現(xiàn)出色的均勻性
先進的動態(tài)氣體流量控制,可實現(xiàn)佳生長速率和摻雜均勻性。
具有多個加熱區(qū)的出色溫度曲線
不含石英,適用于氯化工藝
在清潔的惰性氣氛中進行熱晶圓裝載/卸載可大限度地減少顆粒污染并延長石墨部件的使用壽命
模塊化設(shè)計,兩個、三個或四個反應(yīng)器組成集群配置。每個反應(yīng)器都針對特定的生長步驟進行了優(yōu)化
在受控環(huán)境中在反應(yīng)器之間進行晶圓運輸
高達 1800 °C
適用于中小批量生產(chǎn)和研發(fā)
Epiluvac EPI 1000-C:
熱壁 CVD 具有出色的均勻性
大 150 mm 基板直徑
單晶圓和手動裝載
非常適合研發(fā)
Epiluvac ER3-N1:
上述ER3-C1系統(tǒng)的GaN版本
可選的原位監(jiān)測
獲得利的溫度控制,可大限度地減少晶圓彎曲
Epiluvac ER3-C1:
晶圓直徑可達 200 mm (8“)
通過熱壁拓撲結(jié)構(gòu)實現(xiàn)出色的均勻性
先進的動態(tài)氣體流量控制,可實現(xiàn)佳生長速率和摻雜均勻性。
具有多個加熱區(qū)的出色溫度曲線
不含石英,適用于氯化工藝
在清潔的惰性氣氛中進行熱晶圓裝載/卸載可大限度地減少顆粒污染并延長石墨部件的使用壽命
模塊化設(shè)計,兩個、三個或四個反應(yīng)器組成集群配置。每個反應(yīng)器都針對特定的生長步驟進行了優(yōu)化
在受控環(huán)境中在反應(yīng)器之間進行晶圓運輸
高達 1800 °C
適用于中小批量生產(chǎn)和研發(fā)
Epiluvac EPI 1000-C:
熱壁 CVD 具有出色的均勻性
大 150 mm 基板直徑
單晶圓和手動裝載
非常適合研發(fā)
Epiluvac ER3-N1:
上述ER3-C1系統(tǒng)的GaN版本
可選的原位監(jiān)測
獲得利的溫度控制,可大限度地減少晶圓彎曲
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