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簡要描述:Propel HVM GaN MOCVD 系統(tǒng),用于電源、5G 射頻和光子學(xué),單晶圓反應(yīng)器技術(shù)為電源、5G 射頻和光子學(xué)應(yīng)用提供高效、高質(zhì)量的氮化鎵基器件
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1.產(chǎn)品概述:
Veeco的Propel™HVMGaNMOCVD系統(tǒng)被設(shè)計(jì)為一種大批量制造單晶圓反應(yīng)器簇系統(tǒng),適用于基于GaN的功率、射頻和光子器件。采用單晶圓反應(yīng)器平臺(tái),能夠在150和200毫米晶圓上產(chǎn)生高質(zhì)量外延膜性能,以實(shí)現(xiàn)均勻性、可重復(fù)性和良率。PropelHVM系統(tǒng)可配置多達(dá)6個(gè)模塊化集群室,以實(shí)現(xiàn)最大的生產(chǎn)力和靈活性,是客戶、鑄造廠或IDM業(yè)務(wù)的理想選擇。
2.產(chǎn)品優(yōu)勢(shì):
單晶圓反應(yīng)器基于VeecoTurboDisc®設(shè)計(jì),采用突破性技術(shù),包括IsoFlange™和SymmHeat™,可在整個(gè)晶圓上提供層流和均勻的溫度分布??蛻艨梢暂p松地將工藝從Veeco的單晶圓反應(yīng)器Propel和K465i™系統(tǒng)轉(zhuǎn)移到PropelHVMGaNMOCVD平臺(tái),以實(shí)現(xiàn)快速開發(fā)到生產(chǎn)周期.
Veeco的Propel™HVMGaNMOCVD系統(tǒng)被設(shè)計(jì)為一種大批量制造單晶圓反應(yīng)器簇系統(tǒng),適用于基于GaN的功率、射頻和光子器件。采用單晶圓反應(yīng)器平臺(tái),能夠在150和200毫米晶圓上產(chǎn)生高質(zhì)量外延膜性能,以實(shí)現(xiàn)均勻性、可重復(fù)性和良率。PropelHVM系統(tǒng)可配置多達(dá)6個(gè)模塊化集群室,以實(shí)現(xiàn)大的生產(chǎn)力和靈活性,是客戶、鑄造廠或IDM業(yè)務(wù)的理想選擇。
單晶圓反應(yīng)器基于VeecoTurboDisc®設(shè)計(jì),采用突破性技術(shù),包括IsoFlange™和SymmHeat™,可在整個(gè)晶圓上提供層流和均勻的溫度分布??蛻艨梢暂p松地將工藝從Veeco的單晶圓反應(yīng)器Propel和K465i™系統(tǒng)轉(zhuǎn)移到PropelHVMGaNMOCVD平臺(tái),以實(shí)現(xiàn)快速開發(fā)到生產(chǎn)周期。
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