當(dāng)前位置:首頁 > 產(chǎn)品中心 > 半導(dǎo)體前道工藝設(shè)備 > 3 CVD > PlasmaPro 80 PECVD等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積PECVD
簡要描述:PlasmaPro 80是一種結(jié)構(gòu)緊湊且使用方便的小型直開式系統(tǒng),可以提供多種刻蝕和沉積的解決方案。 它易于放置,便于使用,且能確保工藝性能。直開式設(shè)計(jì)可實(shí)現(xiàn)快速晶圓裝卸,是研究、原型設(shè)計(jì)和小批量生產(chǎn)的理想選擇。 它通過優(yōu)化的電極冷卻和出色的襯底溫度控制來實(shí)現(xiàn)高性能工藝。
產(chǎn)品分類
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1. 產(chǎn)品概述
PlasmaPro 80是一種結(jié)構(gòu)緊湊且使用方便的小型直開式系統(tǒng),可以提供多種刻蝕和沉積的解決方案。 它易于放置,便于使用,且能確保工藝性能。直開式設(shè)計(jì)可實(shí)現(xiàn)快速晶圓裝卸,是研究、原型設(shè)計(jì)和小批量生產(chǎn)的理想選擇。 它通過優(yōu)化的電冷卻和出色的襯底溫度控制來實(shí)現(xiàn)高性能工藝。
2. 特色參數(shù)
直開式設(shè)計(jì)允許快速裝卸晶圓
出色的刻蝕控制和速率測(cè)定
出色的晶圓溫度均勻性
晶圓大可達(dá)200mm
購置成本低
符合半導(dǎo)體行業(yè) S2 / S8標(biāo)準(zhǔn)
小尺寸系統(tǒng)——易于安置
優(yōu)化了的電冷卻——襯底溫度控制
高導(dǎo)通的徑向(軸對(duì)稱)抽氣結(jié)構(gòu)—— 確保提升了工藝均勻性和速率
增加了<500毫的數(shù)據(jù)記錄功能——可追溯腔室和工藝條件的歷史記錄
近距離耦合渦輪泵——提供優(yōu)秀的泵送速度加快氣體的流動(dòng)速度
關(guān)鍵部件容易觸及——系統(tǒng)維護(hù)變得直接簡單
X20控制系統(tǒng)——大幅提高了數(shù)據(jù)信息處理能力, 并且可以實(shí)現(xiàn)更快更可重復(fù)的匹配
通過端軟件進(jìn)行設(shè)備故障診斷——故障診斷速度快
用干涉法進(jìn)行激光終點(diǎn)監(jiān)測(cè)——在透明材料的反射面上測(cè)量刻蝕深度 (例如硅上的氧化物),或者用反射法來確定非透明材料 (如金屬) 的邊界
用發(fā)射光譜(OES)實(shí)現(xiàn)較大樣品或批量工藝的終點(diǎn)監(jiān)測(cè)—— 監(jiān)測(cè)刻蝕副產(chǎn)物或反應(yīng)氣體的消耗量的變化,以及用于腔室清洗的終點(diǎn)監(jiān)測(cè)
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