當(dāng)前位置:首頁(yè) > 產(chǎn)品中心 > 半導(dǎo)體前道工藝設(shè)備 > 5 刻蝕設(shè)備 > EIS-200ERP離子束刻蝕機(jī)
簡(jiǎn)要描述:EIS-200ERP是由ELIONIX研發(fā)的離子束刻蝕機(jī),緊湊和高性能,使用 ECR 離子束可以進(jìn)行納米蝕刻和沉積,制品特微。
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1 產(chǎn)品概述:
離子束刻蝕設(shè)備是一種高精度的材料加工設(shè)備,它利用經(jīng)過(guò)電場(chǎng)加速的高能離子束對(duì)樣品表面進(jìn)行物理轟擊,從而實(shí)現(xiàn)材料的精細(xì)刻蝕。這種設(shè)備廣泛應(yīng)用于物理學(xué)、工程與技術(shù)科學(xué)基礎(chǔ)學(xué)科、測(cè)繪科學(xué)技術(shù)、航空、航天科學(xué)技術(shù)等多個(gè)領(lǐng)域,成為現(xiàn)代微納米加工技術(shù)中的重要工具。
2 設(shè)備用途:
材料加工:離子束刻蝕設(shè)備可以對(duì)多種材料進(jìn)行精細(xì)加工,包括硅、石英、半導(dǎo)體、金屬、非金屬硬質(zhì)薄膜等。通過(guò)控制離子束的能量、束流密度和刻蝕時(shí)間等參數(shù),可以精確控制刻蝕深度和形貌,實(shí)現(xiàn)微米甚至納米量級(jí)的加工精度。
微結(jié)構(gòu)制作:該設(shè)備具有制作微結(jié)構(gòu)圖形的能力,如光柵、微透鏡陣列等。在光學(xué)、電子學(xué)等領(lǐng)域中,這些微結(jié)構(gòu)對(duì)于提高器件性能具有關(guān)鍵作用。
樣品表面處理:離子束刻蝕還可以用于清洗材料表面有機(jī)物、氧化物等污染物,提升材料表面的親水性、粘接力和附著力。這對(duì)于提高樣品的質(zhì)量和分析精度具有重要意義。
3 設(shè)備特點(diǎn)
高精度:離子束刻蝕設(shè)備能夠?qū)崿F(xiàn)高精度的材料加工和微結(jié)構(gòu)制作。通過(guò)精確控制離子束的參數(shù),可以實(shí)現(xiàn)微米甚至納米量級(jí)的加工精度。
多材料適應(yīng)性:該設(shè)備可以處理多種材料,包括硅、石英、半導(dǎo)體、金屬、非金屬硬質(zhì)薄膜等。這種廣泛的材料適應(yīng)性使得離子束刻蝕設(shè)備在多個(gè)領(lǐng)域中得到廣泛應(yīng)用。
高靈活性:離子束刻蝕設(shè)備通常配備有先進(jìn)的控制系統(tǒng)和樣品臺(tái),可以實(shí)現(xiàn)多種加工模式和工藝參數(shù)的靈活調(diào)整。這為用戶提供了更多的選擇和便利。
高穩(wěn)定性:設(shè)備在長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行過(guò)程中能夠保持較高的穩(wěn)定性和可靠性。這有助于確保加工質(zhì)量和生產(chǎn)效率的穩(wěn)定。
4 技術(shù)參數(shù)和特點(diǎn):
離子槍 | ECR型離子槍 |
電離氣體 | Ar、Xe等、惰性離子種類的氣體 N2、O2、C3F8等、活性離子種類的氣體 |
加速電壓 | 100 ~ 3000 V 連續(xù)可變 |
離子流密度 | Ar: 1.5 mA/cm2 以上 (2kV加速時(shí)) O2: 2.0 mA/cm2 以上 (2kV加速時(shí)) |
離子束有效直徑 | Φ 20 mm (FWHM 35 mm) |
離子流穩(wěn)定性 | ±5 % / 2 H |
大試樣尺寸 | Φ 4英寸 |
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