當前位置:首頁 > 產(chǎn)品中心 > 半導體前道工藝設備 > 2 PVD > PVD500高真空磁控濺射薄膜沉積系統(tǒng)
簡要描述:高真空磁控濺射薄膜沉積系統(tǒng)可用于制備光學薄膜、電學薄膜、磁性薄膜、硬質(zhì)保護薄膜和裝飾薄膜等,工藝性能穩(wěn)定、模塊化結(jié)構(gòu),采用行業(yè)的軟件控制系統(tǒng)。
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1.產(chǎn)品概述:
本沉積系統(tǒng)可用于制備光學薄膜、電學薄膜、磁性薄膜、硬質(zhì)保護薄膜和裝飾薄膜等,工藝性能穩(wěn)定、模塊化結(jié)構(gòu),采用行業(yè)的軟件控制系統(tǒng)。
2.設備特點:
本設備是一個鍍膜平臺,可把磁控靶拆下?lián)Q電子槍成為電子束鍍膜系統(tǒng)、或換蒸發(fā)源作為熱蒸發(fā)系統(tǒng)、或換上離子槍作為離子束鍍膜系統(tǒng)等。
設備用途:用于納米單層及多層功能膜、硬質(zhì)膜、金屬膜、半導體膜、介質(zhì)膜等新型薄膜材料的制備??蓮V泛應用于大院校、科研院所的薄膜材料的科研項目。
3.真空室:
真空室結(jié)構(gòu):方形開門
真空室尺寸:φ500x500x500mm
限真空度:≤3.0E-5Pa
沉積源:永磁靶4套,φ2英寸
樣品尺寸,溫度:φ4英寸,1片,高800℃
占地面積(長x寬x高):約2米×1.7米×2米
電控描述:全自動
工藝:具備計算機化的工藝自動化功能。
片內(nèi)膜厚均勻性:≤±3%
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