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高真空磁控濺射薄膜沉積系統(tǒng)

簡(jiǎn)要描述：產(chǎn)品概述：
高真空磁控濺射薄膜沉積系統(tǒng)可用于制備光學(xué)薄膜、電學(xué)薄膜、磁性薄膜、硬質(zhì)保護(hù)薄膜和裝飾薄膜等，工藝性能穩(wěn)定、模塊化結(jié)構(gòu)，采用行業(yè)的軟件控制系統(tǒng)。
設(shè)備用途：
用于納米級(jí)單層及多層功能膜、硬質(zhì)膜、金屬膜、半導(dǎo)體膜、介質(zhì)膜等新型薄膜材料的制備。

  • 產(chǎn)品型號(hào)：PVD400
  • 廠商性質(zhì)：經(jīng)銷商
  • 更新時(shí)間：2024-09-05
  • 訪  問  量： 116

詳細(xì)介紹

1.產(chǎn)品概述：

本沉積系統(tǒng)可用于制備光學(xué)薄膜、電學(xué)薄膜、磁性薄膜、硬質(zhì)保護(hù)薄膜和裝飾薄膜等，工藝性能穩(wěn)定、模塊化結(jié)構(gòu)，采用行業(yè)的軟件控制系統(tǒng)。

2.設(shè)備用途：

用于納米單層及多層功能膜、硬質(zhì)膜、金屬膜、半導(dǎo)體膜、介質(zhì)膜等新型薄膜材料的制備?？蓮V泛應(yīng)用于大院校、科研院所的薄膜材料的科研項(xiàng)目。

3.真空室：

真空室結(jié)構(gòu):方形開門

真空室尺寸:φ400x400x400mm

限真空度:≤6.6E-5Pa

沉積源:永磁靶3套，φ2英寸

樣品尺寸，溫度:φ4英寸，1片，高800℃

樣品臺(tái)：擁有可旋轉(zhuǎn)或者可移動(dòng)的樣品臺(tái)，以便均勻的沉積薄膜。

占地面積（長(zhǎng)x寬x高）:約1.8米×1.7米×2米

電控描述:全自動(dòng)采用先進(jìn)的控制系統(tǒng)，方便用戶設(shè)置和調(diào)整工藝參數(shù)，如蒸發(fā)溫度、沉積時(shí)間等。

工藝:片內(nèi)膜厚均勻性：≤±3%





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