當(dāng)前位置:首頁(yè) > 產(chǎn)品中心 > 半導(dǎo)體前道工藝設(shè)備 > 5 刻蝕設(shè)備 > RIE-230iP等離子體(ICP)刻蝕設(shè)備
簡(jiǎn)要描述:RIE-230iP是以電感耦合等離子體為放電方式,等離子體(ICP)刻蝕設(shè)備高速進(jìn)行各種材料的超精細(xì)加工的負(fù)載鎖定型ICP蝕刻系統(tǒng)。該系統(tǒng)通過(guò)采用龍卷風(fēng)式線圈電,高效地產(chǎn)生穩(wěn)定的高密度等離子體,可對(duì)硅及各種金屬薄膜和化合物半導(dǎo)體進(jìn)行高精度的各向異性蝕刻。
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1. 產(chǎn)品概述
RIE-230iP是以電感耦合等離子體為放電方式,高速進(jìn)行各種材料的超精細(xì)加工的負(fù)載鎖定型ICP蝕刻系統(tǒng)。該系統(tǒng)通過(guò)采用的龍卷風(fēng)式線圈電,高效地產(chǎn)生穩(wěn)定的高密度等離子體,可對(duì)硅及各種金屬薄膜和化合物半導(dǎo)體進(jìn)行高精度的各向異性蝕刻。此外,?230mm的托盤可同時(shí)處理多種化合物半導(dǎo)體。
2. 設(shè)備用途/原理
GaN、GaAs、InP等化合物半導(dǎo)體的高精度加工。鐵電材料、電材料等難蝕材料的加工。
3. 設(shè)備特點(diǎn)
龍卷風(fēng)線圈電,它能有效地產(chǎn)生穩(wěn)定的高密度等離子體,使蝕刻具有高選擇性、高精度和良好的均勻性。低損傷工藝,通過(guò)ICP產(chǎn)生高密度的等離子體,實(shí)現(xiàn)了低偏置、低損傷的工藝。溫度控制,電調(diào)和He冷卻的平臺(tái)和反應(yīng)室內(nèi)側(cè)壁的溫度控制使蝕刻在穩(wěn)定的條件下進(jìn)行。
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