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簡(jiǎn)要描述:脈沖激光沉積鍍膜機(jī)PLD系統(tǒng)主要由真空室、旋轉(zhuǎn)靶臺(tái)、基片加熱臺(tái)、工作氣路、抽氣系統(tǒng)、安裝機(jī)臺(tái)、真空測(cè)量及電控系統(tǒng)等部分組成。
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1. 產(chǎn)品概述
脈沖激光沉積鍍膜機(jī)PLD 系統(tǒng)主要由真空室、旋轉(zhuǎn)靶臺(tái)、基片加熱臺(tái)、工作氣路、抽氣系統(tǒng)、安裝機(jī)臺(tái)、真空測(cè)量及電控系統(tǒng)等部分組成。
2. 設(shè)備用途
脈沖激光沉積鍍膜機(jī)PLD 是一種利用激光高能量脈沖輻射沖擊固體靶時(shí),激光與物質(zhì)之間的所有物理相互作用,亦包括等離子羽狀物的形成,其后已熔化的物質(zhì)通過(guò)等離子羽狀物到達(dá)已加熱的基片表面的轉(zhuǎn)移,及最后物質(zhì)沉淀在不同的襯底上,得到沉淀或者薄膜的一種手段。PLD非常適合生長(zhǎng)多元氧化物的多層膜和異質(zhì)膜,輕松實(shí)現(xiàn)對(duì)化學(xué)成分較復(fù)雜的復(fù)合物材料進(jìn)行材料生長(zhǎng)。在生長(zhǎng)過(guò)程中還可以實(shí)現(xiàn)引入活性或惰性及混合氣等工藝氣體,以提高薄膜生長(zhǎng)品質(zhì)。
3. 技術(shù)參數(shù)
基片尺寸:8inch(可向下兼容)
加熱溫度:1000℃ 加熱方式:輻射加熱
靶材:3*4"
真空度:5*10-7Pa
氣路系統(tǒng):氧氣、氮?dú)?、氬?/span>
模塊:PLD+進(jìn)樣室
激光窗口:配有閘板閥
光路系統(tǒng):激光掃描功能
4. 企業(yè)簡(jiǎn)介
深圳市矢量科學(xué)儀器有限公司是集半導(dǎo)體儀器裝備代理及技術(shù)服務(wù)的高新技術(shù)企業(yè)。
致力于提供半導(dǎo)體制程工藝裝備、后道封裝裝備、半導(dǎo)體分析測(cè)試設(shè)備、半導(dǎo)體光電測(cè)試儀表及相關(guān)儀器裝備維護(hù)、保養(yǎng)、售后技術(shù)支持及實(shí)驗(yàn)室整體服務(wù)。
公司已授實(shí)用新型權(quán)利 29 項(xiàng),軟件著作權(quán) 14 項(xiàng),是創(chuàng)新型中小企業(yè)、科技型中小企業(yè)、規(guī)模以上工業(yè)企業(yè)。
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