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分子束外延薄膜沉積系統(tǒng)MBE 是在超高真空系統(tǒng)中把所需要的結(jié)晶材料放入到噴射爐中，將噴射爐加熱。使結(jié)晶材料形成分子束，從爐中噴出后，沉積在高溫的單晶基片上。如果設(shè)置幾個(gè)噴射爐，就可以制取多元半導(dǎo)體混晶，又可以同時(shí)進(jìn)行摻雜?？梢跃_地控制結(jié)晶生長(zhǎng)，進(jìn)行沉積系統(tǒng)中結(jié)晶生長(zhǎng)過(guò)程的研究。

MOCVD設(shè)備是通過(guò)將反應(yīng)物質(zhì)以有機(jī)金屬化合物氣體分子的形式，經(jīng)載帶氣體送到反應(yīng)室，進(jìn)行熱分解反應(yīng)而生長(zhǎng)出薄膜材料。應(yīng)用方向：Ga2O3,GaN, InP, GaAs, InSb, GaInNAs, II-VI等。

提供深硅蝕刻（DSiE）領(lǐng)域的MEMS，封裝和納米技術(shù)的廣泛應(yīng)用，從光滑側(cè)壁工藝到高刻蝕速率腔刻蝕、高深寬比工藝和錐形通孔刻蝕，不需要更換腔室硬件就可以實(shí)現(xiàn)。

離子束刻蝕系統(tǒng)IBE 的靈活性、均勻性俱佳且應(yīng)用范圍廣。我們的設(shè)備具有靈活的硬件選項(xiàng)，包括直開(kāi)式、單襯底傳送模式和盒式對(duì)盒式模式。系統(tǒng)配置與實(shí)際應(yīng)用緊密協(xié)調(diào)，以確保獲得速率更快且重復(fù)性更好的工藝結(jié)果。

在噴涂法中，噴嘴將要涂抹的溶液噴在晶圓上。經(jīng)過(guò)優(yōu)化后的晶圓上方噴嘴移動(dòng)路徑可以實(shí)現(xiàn)在襯底上均勻的涂層。 噴涂所用的液體通常粘度極低，以確保形成細(xì)小的液滴

可為多種材料提供各向異性干法刻蝕工藝，兼容200mm以下所有尺寸的晶圓，快速更換到不同尺寸的晶圓工藝，電極的適用溫度范圍寬，-150°C至400°C。