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反應性離子刻蝕系統(tǒng)RIE

簡要描述:可為多種材料提供各向異性干法刻蝕工藝,兼容200mm以下所有尺寸的晶圓,快速更換到不同尺寸的晶圓工藝,電極的適用溫度范圍寬,-150°C至400°C。

  • 產品型號:customized-12
  • 廠商性質:經銷商
  • 更新時間:2024-09-06
  • 訪  問  量: 864

詳細介紹

1. 產品概述

可為多種材料提供各向異性干法刻蝕工藝,兼容200mm以下所有尺寸的晶圓,快速更換到不同尺寸的晶圓工藝,電極的適用溫度范圍寬,-150°C至400°C。反應性離子刻蝕 reaction ionetching;RIE)是制作半導體集成電路的蝕刻工藝之一。在除去不需要的集成電路板上的保護膜時,利用反應性氣體的離子束,切斷保護膜物質的化學鍵,使之產生低分子物質,揮發(fā)或游離出板面,這樣的方法稱為反應性離子刻蝕。

2. 設備用途/原理

III-V族材料刻蝕工藝;

固體激光器 InP刻蝕;

VCSEL GaAs/AlGaAs刻蝕;

射頻器件低損傷 GaN刻蝕;

類金剛石 DLC) 沉積;

二氧化硅和石英刻蝕

用特殊配置的PlasmaPro FA設備進行失效分析的干法刻蝕解剖工藝,可處理封裝好的芯片, 裸晶片,以及200mm晶圓用于高亮度LED生產的硬掩模沉積和刻蝕。

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