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Pangea®A系列常規(guī)IBS設(shè)備由離子源柵極引出正離子并加速，中性束流撞擊樣品表面，濺射形成刻蝕圖像。由于等離子體的產(chǎn)生遠(yuǎn)離晶圓空間，起輝不受非揮發(fā)性副產(chǎn)物的影響。這種物理方案，幾乎可以用來(lái)刻蝕任何固體材料，包括金屬、合金、氧化物、化合物、混合材料、半導(dǎo)體、絕緣體等。柵網(wǎng)拉出的離子束的能量和密度可以獨(dú)立控制，提升了工藝可控性；載片臺(tái)的角度可調(diào)整，實(shí)現(xiàn)離子束傾斜入射，可用于特殊圖案的刻蝕，也適用于

LMEC-300™ 是魯汶儀器針對(duì)特種金屬膜層刻蝕而推出的 12 英寸集成設(shè)備，應(yīng)用于新興存儲(chǔ)器件的制備。此類器件的核心功能單元含有成分復(fù)雜的金屬疊層，例如磁存儲(chǔ)器的磁隧道節(jié)（MTJ）、相變存儲(chǔ)器中的合金相變層、阻變存儲(chǔ)器中的阻變疊層。其副產(chǎn)物不易揮發(fā)，圖形化挑戰(zhàn)很大。 LMEC-300™ 反應(yīng)離子刻蝕與離子束刻蝕協(xié)同工藝，可規(guī)避 RIE 路徑的側(cè)壁沾污問題，也可突破 IBS 路徑的工藝線寬局

滿足半導(dǎo)體制造中濕法刻蝕工藝，單片加工，適用于SiO2，SiN，Polysilicon和各種金屬層的刻蝕，清洗等工藝流程。

用于封裝領(lǐng)域中的光阻去除工藝，掩膜版清洗，OLED 領(lǐng)域中的光阻去除及蒸鍍后金屬剝離等工藝及化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域中的光阻去除及蒸鍍后金屬剝離等工藝

用于先進(jìn)封裝工藝過程中的晶圓去膠制程和金屬剝離制程。設(shè)備可搭載槽式浸泡單元、高壓噴淋或二流體噴淋去膠單元、清洗及干燥單元等工藝模塊，滿足各種品牌型號(hào)、各種厚度的正負(fù)性光阻去除及金屬剝離等工藝。具有藥液回收循環(huán)過濾再使用、金屬高效率回收等功能。

適用于半導(dǎo)體及LED芯片制造領(lǐng)域中的光刻膠去除、金屬剝離等工藝制程。