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詳細(xì)介紹 Seehund® A型氣相分解金屬沾污收集設(shè)備（VPD）是專為集成電路制造、大晶圓生產(chǎn)及再生、先導(dǎo)工藝研發(fā)等行業(yè)提供金屬沾污控制方案的產(chǎn)品。由于目前的晶圓制造產(chǎn)業(yè)對金屬沾污控制的要求已經(jīng)遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于TXRF和ICP-MS能夠測量的極限，需要采用VPD對晶圓表面沾污做富集，才能突破檢測靈敏度極限，滿足晶圓產(chǎn)線的需求。該設(shè)備采用了12英寸及8英寸產(chǎn)線設(shè)備所通用的國際標(biāo)準(zhǔn)零部件，符合SEMI的設(shè)計

詳細(xì)介紹 Shale® A系列等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備（PECVD），通過平行電容板電場放電產(chǎn)生等離子體，可以在400℃及以下沉積比較致密、均勻性較好的氧化硅、TEOS、BPSG、氮化硅、氮氧化硅、非晶硅、非晶碳、非晶碳化硅等薄膜。該設(shè)備采用了8英寸產(chǎn)線設(shè)備所通用的國際標(biāo)準(zhǔn)零部件，符合SEMI的設(shè)計標(biāo)準(zhǔn)，并通過了嚴(yán)苛的穩(wěn)定性和可靠性測試驗證。

Shale® C系列電感耦合等離子體化學(xué)氣相沉積設(shè)備（ICP-CVD），通過電感耦合（ICP）產(chǎn)生高密度等離子體，并通過電容耦合（CCP）產(chǎn)生偏壓，可實現(xiàn)低溫、高致密、低損傷、優(yōu)填充能力的薄膜沉積工藝。該設(shè)備采用了8英寸產(chǎn)線設(shè)備所通用的國際標(biāo)準(zhǔn)零部件，符合SEMI的設(shè)計標(biāo)準(zhǔn)，并通過了嚴(yán)苛的穩(wěn)定性和可靠性測試驗證。

詳細(xì)介紹 CCP腔室適用于制造微納結(jié)構(gòu)的等離子刻蝕技術(shù)。在反應(yīng)離子刻蝕過程中，等離子體中會包含大量的活性粒子，與表面原子產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)，生成可揮發(fā)產(chǎn)物后，隨真空抽氣系統(tǒng)排出。魯汶儀器的 Haasrode® Avior® A 在性價比和空間利用率上優(yōu)點突出，可提供各種不同材料的刻蝕解決方案。

Pishow® D 系列深刻蝕設(shè)備，是針對8英寸~6英寸產(chǎn)線或科研深硅刻蝕工藝的專用設(shè)備，擁有自主開發(fā)的優(yōu)化設(shè)計，保證了優(yōu)異的刻蝕精度控制和損傷控制。 提供Si Bosch工藝的解決方案。 該設(shè)備高性價比的解決方案和優(yōu)秀的空間利用率，可幫助不同客戶實現(xiàn)產(chǎn)能升級。

詳細(xì)介紹 ICP是一種加工微納結(jié)構(gòu)的8英寸電感耦合等離子體刻蝕設(shè)備。具有刻蝕快、選擇比高、各項異性高、刻蝕損傷小、均勻性好、斷面輪廓可控性高、刻蝕表面平整度高等優(yōu)點。目前被廣泛應(yīng)用于Si、SiO2、SiNx、金屬、III-V族化合物等材料的刻蝕。可應(yīng)用于大規(guī)模集成電路、MEMS、光波導(dǎo)、光電子器件等領(lǐng)域中各種微結(jié)構(gòu)的制作。