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WLCSP(WaferLevelChipScalePackaging)即晶圓級芯片封裝方式,不同于傳統(tǒng)的芯片封裝方式(先切割再封測,而封裝后至少增加原芯片20%的體積),此種技術是先在整片晶圓上進行封裝和測試,然后才切割成一個個的IC顆粒,...
多路溫度記錄儀是一種用于實時監(jiān)測和記錄多個溫度點的設備,廣泛應用于工業(yè)生產、科研實驗、環(huán)境監(jiān)測等領域。能夠同時連接多個溫度傳感器,并將各通道的數據集中顯示、記錄和分析,大大提高了工作效率和數據準確性。多路溫度記錄儀的工作原理:1.傳感器布置:根據實際需求,在待測位置安裝相應數量的溫度傳感器(如熱電偶、RTD、熱敏電阻等)。2.信號采集:內置多通道模擬輸入模塊,可以接收來自各個傳感器的電信號。3.模數轉換:將接收到的模擬信號轉換為數字信號,便于后續(xù)處理。4.數據處理:內置微處理...
有掩膜光刻機利用光學投影系統(tǒng),將預先制作好的掩膜上的電路圖案精確地投影到涂有光刻膠的硅片表面。經過曝光和顯影處理后,光刻膠會在硅片表面形成所需的電路圖案。隨后,通過離子注入或刻蝕等工藝步驟,將電路圖案轉移到硅片上,形成實際的集成電路。有掩膜光刻機的功能特點:1.高精度:采用先進的光學系統(tǒng)和精密的機械結構,能夠實現(xiàn)亞微米級別的分辨率,滿足高精度集成電路制造的需求。2.高效率:具備快速曝光和顯影功能,能夠在短時間內完成大量硅片的光刻處理,提高生產效率。3.靈活性:支持多種不同尺寸...
脈沖激光沉積鍍膜機PLD是一種利用脈沖激光進行薄膜沉積的技術。這種技術廣泛應用于材料科學、光學鍍膜、電子器件等領域,特別是在制備復雜氧化物薄膜、高溫超導薄膜、生物相容薄膜等高性能薄膜方面表現(xiàn)出特殊的優(yōu)勢。工作原理基于激光與固體材料的相互作用。當高能脈沖激光照射到靶材上時,靶材表面會被快速加熱、熔化、蒸發(fā)甚至離子化,形成等離子體羽。這些等離子體在真空或背景氣體的環(huán)境中沉積到附近的基片上,形成薄膜。脈沖激光沉積鍍膜機PLD的結構特點:1.激光發(fā)生器:產生高能量的脈沖激光,常見的有...
脈沖激光沉積鍍膜機PLD技術是一種利用高能脈沖激光對材料進行蒸發(fā),從而在基底上沉積薄膜的先進鍍膜技術。這種技術廣泛應用于各種薄膜制備領域,如半導體薄膜、超導薄膜、納米薄膜等。PLD技術以其優(yōu)勢,如保留了靶材料的化學計量比、能夠制備復雜成分的薄膜等,在材料科學和表面工程領域占有重要地位。PLD技術基于激光與固體物質相互作用的原理。當高能脈沖激光照射到靶材料上時,靶材料表面會被瞬間加熱至蒸發(fā),形成高溫等離子體羽。這些等離子體羽中包含的粒子具有與靶材料相同的化學計量比,它們在真空中...
分子束外延薄膜沉積系統(tǒng)MBE是一種在高真空條件下,利用分子束或原子束進行材料生長的技術。該系統(tǒng)通過精確控制不同源材料的分子束強度,實現(xiàn)對薄膜材料組分、摻雜和結構的精細調控,是現(xiàn)代半導體物理實驗室和光電子器件研究中的重要設備。在MBE系統(tǒng)中,被加熱的源材料會在超高真空環(huán)境下蒸發(fā)形成分子束或原子束,這些束流直接噴射到襯底上,并在其上沉積生長成薄膜。由于是在高真空環(huán)境下進行,分子束在傳輸過程中幾乎不會與殘余氣體發(fā)生碰撞,因此能夠保證制備的薄膜具有高的純度和精確的摻雜分布。分子束外延...