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簡(jiǎn)要描述：PlasmaPro 100 Cobra ICP RIE系統(tǒng)利用高密度電感耦合等離子體實(shí)現(xiàn)快速刻蝕速率。該工藝模塊可提供出色的均勻性、高吞吐量、高精度和低損傷工藝，適用于最大尺寸為200毫米的晶圓，支持包括GaAs和InP激光光電子、SiC和GaN電力電子/射頻以及MEMS和傳感器在內(nèi)的多個(gè)市場(chǎng)領(lǐng)域。
產(chǎn)品型號(hào)：PlasmaPro 100 Cobra ICP廠商性質(zhì)：經(jīng)銷(xiāo)商更新時(shí)間：2024-09-05訪 問(wèn) 量： 127產(chǎn)品分類(lèi)
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1. 產(chǎn)品概述
PlasmaPro 100 Cobra ICP RIE系統(tǒng)利用高密度電感耦合等離子體實(shí)現(xiàn)快速刻蝕速率。該工藝模塊可提供出色的均勻性、高吞吐量、高精度和低損傷工藝，適用于大尺寸為200毫米的晶圓，支持包括GaAs和InP激光光電子、SiC和GaN電力電子/射頻以及MEMS和傳感器在內(nèi)的多個(gè)市場(chǎng)域。
高刻蝕速率和高選擇性
低損傷刻蝕和高可重復(fù)性加工
單晶圓裝載鎖定或可與多達(dá)5個(gè)工藝模塊集群
He背面冷卻，以實(shí)現(xiàn)佳溫度控制
寬溫度范圍電，-150°C至400°C
與所有大尺寸為200毫米的晶圓兼容
晶圓尺寸之間的快速轉(zhuǎn)換
原位腔室清潔和終點(diǎn)控制功能
2. 特色參數(shù)
PlasmaPro 100 Cobra ICP RIE系統(tǒng)利用高密度電感耦合等離子體實(shí)現(xiàn)快速刻蝕速率。該工藝模塊可提供出色的均勻性、高吞吐量、高精度和低損傷工藝，適用于大尺寸為200毫米的晶圓，支持包括GaAs和InP激光光電子、SiC和GaN電力電子/射頻以及MEMS和傳感器在內(nèi)的多個(gè)市場(chǎng)域。
晶圓尺寸：大可達(dá)200mm
ICP源尺寸可選：65mm和300mm
溫度范圍：從-150°C到400°C
集群：多達(dá)5個(gè)模塊，包括 ALD、PECVD、離子束刻蝕和離子束沉積等技術(shù)
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