1 產(chǎn)品概述:

    原子層沉積（Atomic Layer Deposition, ALD）是一種先進的薄膜沉積技術(shù)，它通過化學(xué)反應(yīng)將物質(zhì)以單原子膜形式一層一層地鍍在基底表面。這種技術(shù)屬于化學(xué)氣相沉積的一種，但其在于其自限制性和互補性，使得對薄膜的成份和厚度具有出色的控制能力。ALD廣泛應(yīng)用于力學(xué)、物理學(xué)、材料科學(xué)以及納米技術(shù)等領(lǐng)域。

2 設(shè)備用途：

原子層沉積設(shè)備主要用于在各種基底上沉積高質(zhì)量的薄膜，其應(yīng)用范圍包括但不限于：

1. 半導(dǎo)體領(lǐng)域：用于晶體管柵極電介質(zhì)層（如高k材料）、光電元件的涂層、集成電路中的互連種子層、DRAM和MRAM中的電介質(zhì)層，以及集成電路中嵌入電容器的電介質(zhì)層等。

2. 納米技術(shù)領(lǐng)域：用于制備中空納米管、隧道勢壘層、光電電池性能的提高、納米孔道尺寸的控制、高寬比納米圖形、納米晶體、納米結(jié)構(gòu)、中空納米碗等復(fù)雜納米結(jié)構(gòu)。此外，還可用于納米顆粒、納米線等材料的涂層。

3. 其他領(lǐng)域：包括微電子、食品包裝、光電、催化劑、儲能技術(shù)、航天器外殼聚合物涂層等

3 設(shè)備特點

  高度可控性：沉積參數(shù)（如厚度、成份和結(jié)構(gòu)）高度可控，能夠精確控制薄膜的厚度至納米級甚至亞納米級。

  優(yōu)異的均勻性和一致性：所制備的薄膜保形性好、純度高且均勻，這對于提高器件性能至關(guān)重要。

  廣泛的適應(yīng)性：設(shè)備能夠適應(yīng)不同尺寸和形狀的基底，包括平面基底和復(fù)雜的三維結(jié)構(gòu)。

  高效性：通過優(yōu)化工藝參數(shù)，可以實現(xiàn)高效的薄膜沉積，提高生產(chǎn)效率。

  靈活性：可沉積多種類型的材料，包括金屬氧化物（如ZnO、TiO2、Al2O3、SnO2）、金屬（如Pt、Ir）等，滿足不同應(yīng)用需求。
4 技術(shù)參數(shù)和特點：

• 卷筒紙寬度：大420mm

• ALD鍍膜厚度：大100nm

• 動態(tài)沉積速率 （Al2O3）： 10 nm *m/min

• 過程溫度：高 250°C