1. 產(chǎn)品概述：

Herent® Chimera® A 金屬硬掩膜刻蝕設(shè)備，為針對(duì) 12 英寸 IC 產(chǎn)業(yè)的后道銅互連中氮化鈦（TiN）金屬硬掩膜刻蝕（metal hardmask open） 這一重復(fù)道次高的工藝所開(kāi)發(fā)的專(zhuān)用產(chǎn)品，以滿(mǎn)足 12 英寸產(chǎn)線(xiàn)的各種硬質(zhì)掩膜刻蝕需求。此外，Chimera® A 硬掩模刻蝕腔可作為 LMEC-300™ 設(shè)備的選配模塊，實(shí)現(xiàn)從金屬硬掩模刻蝕到器件功能層刻蝕的一體化工藝。

12英寸硬掩膜刻蝕設(shè)備

2. Herent® Chimera® A系統(tǒng)特性

Herent® Chimera® A 金屬硬掩膜刻蝕設(shè)備是面向 12 英寸集成電路制造的量產(chǎn)型設(shè)備

設(shè)備由電感耦合等離子體刻蝕腔（ICP etch chamber）及傳輸模塊（transfer module）構(gòu)成

適用于 55 納米及其它技術(shù)代的 TiN 等硬掩膜刻蝕工藝

為針對(duì) 12 英寸 IC 產(chǎn)業(yè)的后道銅互連中氮化鈦（TiN）金屬硬掩膜刻蝕（metal hardmask open） 這一重復(fù)道次高的工藝所開(kāi)發(fā)的專(zhuān)用產(chǎn)品，以滿(mǎn)足 12 英寸產(chǎn)線(xiàn)的各種硬質(zhì)掩膜刻蝕需求。此外，Chimera® A 硬掩?？涛g腔可作為 LMEC-300™ 設(shè)備的選配模塊，實(shí)現(xiàn)從金屬硬掩?？涛g到器件功能層刻蝕的一體化工藝。