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簡(jiǎn)要描述:Beneq TFS 200 是有史以來最靈活的原子層沉積研究平臺(tái),專為學(xué)術(shù)研究和企業(yè)研發(fā)而設(shè)計(jì)。Beneq TFS 200 經(jīng)過專門設(shè)計(jì),可最大限度地減少多用戶研究環(huán)境中可能發(fā)生的任何交叉污染。大量的可用選項(xiàng)和升級(jí)意味著您的 Beneq TFS 200 將與您一起擴(kuò)展,以滿足研究要求。
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Beneq TFS 200 是有史以來最靈活的原子層沉積研究平臺(tái),專為學(xué)術(shù)研究和企業(yè)研發(fā)而設(shè)計(jì)。Beneq TFS 200 經(jīng)過專門設(shè)計(jì),可最大限度地減少多用戶研究環(huán)境中可能發(fā)生的任何交叉污染。大量的可用選項(xiàng)和升級(jí)意味著您的 Beneq TFS 200 將與您一起擴(kuò)展,以滿足的研究要求。
Beneq TFS 200 代表了能夠在晶圓、平面物體、多孔散裝材料和縱橫比 (HAR) 特性的復(fù)雜 3D 物體上沉積優(yōu)質(zhì)涂層的技術(shù)解決方案。
直接和遠(yuǎn)程等離子體增強(qiáng)沉積 (PEALD) 是 Beneq TFS 200 的標(biāo)準(zhǔn)選件。等離子體是電容耦合 (CCP),這是當(dāng)今的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。CCP 等離子選件為高達(dá) 200 毫米的基板提供直接和遠(yuǎn)程等離子體增強(qiáng) ALD (PEALD),正面朝上或面朝下。
處理周期時(shí)間通常小于 2 秒。在特定情況下甚至不到 1 秒
高縱橫比 (HAR) 可用于具有通孔和多孔基板的結(jié)構(gòu)
用于快速加熱和冷卻的冷壁真空室
真空室中的輔助入口可實(shí)現(xiàn)等離子體、原位診斷等。
負(fù)載鎖定可用于快速更換基板并與其他設(shè)備集成。
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