1.  產(chǎn)品概述：

金屬有機(jī)源氣相沉積系統(tǒng)（Metal-Organic Chemical Vapor Deposition, MOCVD）是一種先進(jìn)的薄膜材料制備技術(shù)，通過(guò)金屬有機(jī)前體和反應(yīng)氣體在基底表面上的熱解和反應(yīng)，形成所需的薄膜材料。該系統(tǒng)主要由真空室反應(yīng)系統(tǒng)、氣體（載氣與氣相有機(jī)源）輸運(yùn)控制系統(tǒng)、有機(jī)源蒸發(fā)輸運(yùn)控制系統(tǒng)、電源控制系統(tǒng)、尾氣處理及安全保護(hù)報(bào)警系統(tǒng)組成。

MOCVD系統(tǒng)具有高質(zhì)量、穩(wěn)定性、重復(fù)性及多功能性等優(yōu)點(diǎn)，是當(dāng)今世界上生產(chǎn)半導(dǎo)體光電器件和微波器件材料的主要手段。它廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、光電子、光伏和顯示等領(lǐng)域，用于制備各種功能性薄膜材料，如氮化物、磷化物和氧化物等。

2 設(shè)備用途/原理：

1. 半導(dǎo)體材料制備：MOCVD系統(tǒng)可用于制備三五族或二六族化合物半導(dǎo)體薄膜，如砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）、氮化鎵（GaN）等，這些材料廣泛應(yīng)用于集成電路、光電器件和微電子元件中。

2. 光電器件生產(chǎn)：利用MOCVD技術(shù)可以生產(chǎn)發(fā)光二極管（LED）、激光二極管（LD）、太陽(yáng)能電池等光電器件。特別是藍(lán)光和白光LED的核心結(jié)構(gòu)，如GaN和InGaN薄層序列，就是通過(guò)MOCVD工藝實(shí)現(xiàn)的。

3. 微電子元件制造：MOCVD技術(shù)還可用于制造異質(zhì)結(jié)雙極性晶體管（HBT）、假晶式高電子遷移率晶體管（PHEMT）等微電子元件。

4. 研究與開(kāi)發(fā)：研究機(jī)構(gòu)和大學(xué)也使用MOCVD設(shè)備進(jìn)行科學(xué)研究和開(kāi)發(fā)新的薄膜材料，以推動(dòng)相關(guān)領(lǐng)域的技術(shù)進(jìn)步。

3. 設(shè)備特點(diǎn)

1 高精度控制：MOCVD系統(tǒng)具有高度的自動(dòng)化和精確的控制能力，可以精確控制反應(yīng)條件（如溫度、壓力和氣體流量），以優(yōu)化薄膜的成分、結(jié)構(gòu)和性質(zhì)。

2  高效生產(chǎn)：該系統(tǒng)能夠?qū)崿F(xiàn)大規(guī)模、高效率的薄膜材料生產(chǎn)，滿足工業(yè)化生產(chǎn)的需求。

3  多功能性：MOCVD技術(shù)不僅限于制備單一類型的薄膜材料，還可以實(shí)現(xiàn)多種材料的交替生長(zhǎng)，為制備復(fù)雜結(jié)構(gòu)的器件提供了可能。

4  安全保護(hù)：系統(tǒng)配備有尾氣處理及安全保護(hù)報(bào)警系統(tǒng)，確保在有毒氣體環(huán)境下操作的安全性。

4 設(shè)備參數(shù)

真空室結(jié)構(gòu):臥室

真空室尺寸:Ф400mm×300mm（L）

限真空度:10 Pa

沉積源:設(shè)計(jì)待定

樣品尺寸，溫度:設(shè)計(jì)待定

占地面積（長(zhǎng)x寬x高）:約4.5米x3.5米x3米（設(shè)計(jì)待定）

電控描述:屏幕操作