當(dāng)前位置:首頁 > 產(chǎn)品中心 > 半導(dǎo)體前道工藝設(shè)備 > 2 PVD > DZS500高真空電子束及熱阻蒸發(fā)薄膜沉積系統(tǒng)
簡要描述:產(chǎn)品概述:高真空電子束及熱阻蒸發(fā)薄膜沉積系統(tǒng)主要由蒸發(fā)真空室、E型電子槍、熱阻蒸發(fā)組件、旋轉(zhuǎn)基片加熱臺(tái)、工作氣路、抽氣系統(tǒng)、真空測量、安裝機(jī)臺(tái)及電控系統(tǒng)等部分組成,自動(dòng)控制軟件系統(tǒng)。設(shè)備用途:電子束蒸發(fā)可以蒸發(fā)高熔點(diǎn)材料,比一般電阻加熱蒸發(fā)熱效率高、 束流密度大、蒸發(fā)速度快,制成的薄膜純度高、質(zhì)量好,厚度可以較準(zhǔn)確地控制,可以廣泛應(yīng)用于制備高純薄膜和導(dǎo)電玻璃等各種光學(xué)材料薄膜。
產(chǎn)品分類
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1. 產(chǎn)品概述:
主要由蒸發(fā)真空室、e 型電子槍、熱阻蒸發(fā)組件、旋轉(zhuǎn)基片加熱臺(tái)、工作氣路、抽氣系統(tǒng)、真空測量、安裝機(jī)臺(tái)及電控系統(tǒng)等部分組成,具備自動(dòng)控制軟件系統(tǒng)。
2. 設(shè)備用途/原理:
沈陽科儀 DZS500 系統(tǒng)用途廣泛。電子束蒸發(fā)可以蒸發(fā)高熔點(diǎn)材料,比一般電阻加熱蒸發(fā)熱效率高、束流密度大、蒸發(fā)速度快,制成的薄膜純度高、質(zhì)量好,厚度可以較準(zhǔn)確地控制,可以廣泛應(yīng)用于制備高純薄膜和導(dǎo)電玻璃等各種光學(xué)材料薄膜。在科研領(lǐng)域,它常用于材料研究和新型器件的開發(fā);在工業(yè)生產(chǎn)中,可用于大規(guī)模制造高質(zhì)量的薄膜產(chǎn)品。例如,在制造液晶顯示器的導(dǎo)電薄膜時(shí),能夠保證薄膜的導(dǎo)電性和均勻性,提高產(chǎn)品的性能和質(zhì)量。
3. 特色參數(shù):
o 真空室結(jié)構(gòu):采用 U 形前開門。
o 真空室尺寸:500x500x600mm。
o 極限真空度:≤6.67e-5Pa。
o 沉積源:4 個(gè) 11cc 坩堝。
o 樣品尺寸與溫度:可放置 φ4 英寸的 1 片樣品,最高溫度可達(dá) 800℃。
o 占地面積:約 2.7 米 x1.7 米 x2.1 米。
o 電控描述:全自動(dòng)。
o 工藝:片內(nèi)膜厚均勻性≤±3%。
o 特色參數(shù):樣品可自轉(zhuǎn),轉(zhuǎn)速可調(diào)。
4. 設(shè)備特點(diǎn)
沈陽科儀 DZS500 系統(tǒng)的真空室具有一些顯著特點(diǎn)。其極限真空度表現(xiàn)出色,通常能夠達(dá)到≤6.67×10?? Pa(經(jīng)烘烤除氣后)。停泵關(guān)機(jī) 12 小時(shí)后,蒸發(fā)室真空度≤5Pa,這表明其真空保持能力較強(qiáng)。真空室的結(jié)構(gòu)通常為 U 形前開門,尺寸一般為 500×500×600mm。這種設(shè)計(jì)不僅方便操作,還有利于維持真空環(huán)境的穩(wěn)定性。在實(shí)際應(yīng)用中,良好的真空室特點(diǎn)能夠?yàn)楸∧こ练e提供高質(zhì)量的真空條件,減少雜質(zhì)和氣體對(duì)薄膜質(zhì)量的影響。比如在制備高精度光學(xué)薄膜時(shí),穩(wěn)定的真空環(huán)境能夠確保薄膜的均勻性和純度。
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