當(dāng)前位置:首頁(yè) > 產(chǎn)品中心 > 半導(dǎo)體前道工藝設(shè)備 > 2 PVD > JGP560高真空磁控濺射薄膜沉積系統(tǒng)
簡(jiǎn)要描述:產(chǎn)品概述:高真空磁控濺射薄膜沉積系統(tǒng)可用于制備光學(xué)薄膜、電學(xué)薄膜、磁性薄膜、硬質(zhì)保護(hù)薄膜和裝飾薄膜等,工藝性能穩(wěn)定、模塊化結(jié)構(gòu),采用行業(yè)的軟件控制系統(tǒng)。設(shè)備用途:用于納米級(jí)單層及多層功能膜、硬質(zhì)膜、金屬膜、半導(dǎo)體膜、介質(zhì)膜等新型薄膜材料的制備。可廣泛應(yīng)用于大專院校、科研院所的薄膜材料的科研項(xiàng)目。
產(chǎn)品分類
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1.產(chǎn)品概述:
本沉積系統(tǒng)可用于制備光學(xué)薄膜、電學(xué)薄膜、磁性薄膜、硬質(zhì)保護(hù)薄膜和裝飾薄膜等,工藝性能穩(wěn)定、模塊化結(jié)構(gòu),采用行業(yè)的軟件控制系統(tǒng)。
2.產(chǎn)品優(yōu)勢(shì):
用于納米單層及多層功能膜、硬質(zhì)膜、金屬膜、半導(dǎo)體膜、介質(zhì)膜等新型薄膜材料的制備。可廣泛應(yīng)用于大院校、科研院所的薄膜材料的科研項(xiàng)目。
該系統(tǒng)可用于納米單層及多層功能膜、硬質(zhì)膜、金屬膜、半導(dǎo)體膜、介質(zhì)膜等新型薄膜材料的制備。廣泛應(yīng)用于大院校、科研院所的薄膜材料科研工作。
3.產(chǎn)品工藝:
真空室結(jié)構(gòu):梨形上升蓋
真空室尺寸:φ550×350mm
限真空度:≤6.6E-6Pa(經(jīng)烘烤除氣后)
沉積源:永磁靶5套,φ2英寸配有多個(gè)靶位,例如 5 個(gè) 2 英寸磁控濺射靶接
樣品尺寸,溫度:φ2英寸,6片; φ4英寸,1片; 高800℃
占地面積(長(zhǎng)x寬x高):約3米×1.1米×2米
電控描述:全自動(dòng)
工藝:片內(nèi)膜厚均勻性:≤±3%
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