當(dāng)前位置:首頁 > 產(chǎn)品中心 > 半導(dǎo)體前道工藝設(shè)備 > 5 刻蝕設(shè)備 > RIE-400iPB深硅刻蝕設(shè)備
簡要描述:RIE-400iPB是一款電感耦合等離子體放電設(shè)備,用于博世MEMS和電子元件工藝中的高速硅深孔加工。RIE-800iPB是為研究和開發(fā)目的而改裝的。該系統(tǒng)由Robert Bosch GmbH(德國)授權(quán),能夠?qū)EMS和TSV所需的硅進行高速和高各向異性蝕刻。
產(chǎn)品分類
Product Category相關(guān)文章
Related Articles詳細介紹
1. 產(chǎn)品概述
RIE-400iPB是一款電感耦合等離子體放電設(shè)備,用于博世MEMS和電子元件工藝中的高速硅深孔加工。RIE-800iPB是為研究和開發(fā)目的而改裝的。該系統(tǒng)由Robert Bosch GmbH(德國)授權(quán),能夠?qū)EMS和TSV所需的硅進行高速和高各向異性蝕刻。
2. 設(shè)備用途/原理
MEMS的制造(加速度傳感器、陀螺儀、壓力傳感器、執(zhí)行器等),μTAS等醫(yī)療設(shè)備的加工。
3. 設(shè)備特點
可以實現(xiàn)高速硅深孔加工,它具有的等離子體源和反應(yīng)器結(jié)構(gòu),支持博世工藝,可實現(xiàn)硅的快速深鉆。保持速度,減少扇形,通過高速切換氣體,可以在保持蝕刻速度的同時減少扇形??梢赃M行SiO?的蝕刻,可以通過更換用ICP線圈來處理SiO?。
產(chǎn)品咨詢