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簡要描述:AL-1無針孔薄膜沉積設(shè)備通過交替向反應(yīng)室提供有機(jī)金屬原料和氧化劑,僅利用表面反應(yīng)沉積薄膜,實(shí)現(xiàn)了高膜厚控制和良好的步驟覆蓋率。薄膜的厚度可以控制在原子層的數(shù)量。此外,可以在高寬比的孔內(nèi)壁上沉積覆蓋性好、厚度均勻的薄膜??赏瑫r沉積3片ø4英寸的晶片。
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1. 產(chǎn)品概述
AL-1通過交替向反應(yīng)室提供有機(jī)金屬原料和氧化劑,僅利用表面反應(yīng)沉積薄膜,實(shí)現(xiàn)了高膜厚控制和良好的步驟覆蓋率。薄膜的厚度可以控制在原子層的數(shù)量。此外,可以在高寬比的孔內(nèi)壁上沉積覆蓋性好、厚度均勻的薄膜??赏瑫r沉積3片?4英寸的晶片。
2. 設(shè)備用途/原理
用于下一代功率器件的柵氧化膜和鈍化膜。在3D結(jié)構(gòu)上形成均勻的薄膜,如MEMS。激光表面的沉積。碳納米管的鈍化膜。
3. 設(shè)備特點(diǎn)
成膜效率高,通過提供幾十毫量的脈沖,減少了原材料的損耗,提高了沉積效率。真空清潔,溫度不均勻性小,通過緊貼反應(yīng)室內(nèi)壁的內(nèi)壁加熱器,抑制反應(yīng)室的溫度不均勻,可獲得清潔的真空。無針孔成膜,由于多種驅(qū)體在反應(yīng)室中沒有混合,因此可以防止顆粒,形成無針孔的薄膜。
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