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簡(jiǎn)要描述:Canon FPA5000 ES3掃描式光刻機(jī),主要用于6寸、8寸及12寸生產(chǎn)線,廣泛應(yīng)用于化合物半導(dǎo)體、MEMS、LED等域。
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1. 產(chǎn)品概述
Canon FPA5000 ES3掃描式光刻機(jī),主要用于6寸、8寸及12寸生產(chǎn)線,廣泛應(yīng)用于化合物半導(dǎo)體、MEMS、LED等域。
2. 設(shè)備特點(diǎn)
投影放大倍率:1/4 X,曝光光:(248nm DUV)。數(shù)值孔徑:(0.73~0.60,以 0.01 為增量),視場(chǎng)尺寸:26x33mm。曝光光:DUV(深紫外線)。強(qiáng)度: 低 17,000 w/m2。均勻度:+/- 1.0%。遮蔽刀片精度:最大 +/- 80 μm。
分辨率:<0.13μm 或更小。焦深:最小 R 0.6μm,圖像表面寬度:R 0.12μm 或更高,畸變度:<± 10μm。對(duì)焦/調(diào)平性能:聚焦重復(fù)性:<60nm (3sigma),調(diào)平重復(fù)性:<4ppm (3sigma),最小補(bǔ)償范圍:>100ppm。步長(zhǎng)精度:17nm (3sigma),縮放比例:<±0.5ppm,正交度:<±0.5ppm。標(biāo)線旋轉(zhuǎn)精度:<±0.3ppm。晶圓對(duì)準(zhǔn):<0.025μm 平均值 + 3sigma。光罩旋轉(zhuǎn)重復(fù)性:<R0.7ppm。標(biāo)準(zhǔn)尺寸:6 英寸方形 t=0.25 英寸(Patticle 檢查器)。材質(zhì): 石英。圖案材料:2 層 CR、3 層 CR。薄膜框架:僅圖案?jìng)?cè)支架 = 6.3mm。光罩顆粒檢查器規(guī)格:檢測(cè)分辨率:圖案表面:>0.6μm。玻璃表面:>15μm,表層表面:>20μm,檢測(cè)重復(fù)性: >95%,晶圓尺寸:標(biāo)準(zhǔn) 8 英寸(8 英寸至 12 英寸 SEMI 標(biāo)準(zhǔn),JEIDA,缺口/平面,可選),吞吐量:125wph (30 shot)22mm ( 8“ 晶圓),吞吐量:73wph (64shot)22mm ( 12“ 晶圓),環(huán)境室規(guī)格:清潔度:1級(jí)(>0.1μm),控溫精度:+/- 0.1*C 以內(nèi)。腔室類型:CD140,空調(diào):BCU-900,制冷劑:P3419481YH,調(diào)節(jié)劑:SC-216440。
佳能開發(fā)了一系列半導(dǎo)體光刻設(shè)備,旨在滿足除傳統(tǒng)半導(dǎo)體晶圓加工之外的廣泛應(yīng)用的技術(shù)要求。
半導(dǎo)體芯片(也稱為集成電路,Integrated Circuit, IC)生產(chǎn)主要分為 IC 設(shè)計(jì)、 IC 制造、 IC 封測(cè)三大環(huán)節(jié)。 IC 設(shè)計(jì)主要根據(jù)芯片的設(shè)計(jì)目的進(jìn)行邏輯設(shè)計(jì)和規(guī)則制定,并根據(jù)設(shè)計(jì)圖制作掩模以供后續(xù)光刻步驟使用。 IC 制造實(shí)現(xiàn)芯片電路圖從掩模上轉(zhuǎn)移至硅片上,并實(shí)現(xiàn)目標(biāo)芯片功能,包括化學(xué)機(jī)械研磨、薄膜沉積、光刻、刻蝕、離子注入等步驟。 IC 封測(cè)完成對(duì)芯片的封裝和性能、功能測(cè)試,是產(chǎn)品交付前的最后工序。
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