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簡要描述:1、Nikon NSR 2005i10C步進(jìn)式光刻機(jī)光源波長365nm分辨率優(yōu)于0.45µm主要用于2寸、4寸、6寸及8寸生產(chǎn)線廣泛應(yīng)用于化合物半導(dǎo)體、MEMS、LED等領(lǐng)域2、產(chǎn)品詳情主要技術(shù)指標(biāo)分辨率0.45µmN.A.0.57曝光光源365nm倍率5:1最大曝光現(xiàn)場20mm*20mm對準(zhǔn)精度LSA:100nmFIA:110nm
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Nikon NSR 2005i10C步進(jìn)式光刻機(jī)是一款高精度的半導(dǎo)體制造設(shè)備,該機(jī)型采用先進(jìn)的步進(jìn)光刻技術(shù),能夠?qū)崿F(xiàn)高分辨率和高精度的圖案轉(zhuǎn)移,廣泛應(yīng)用于集成電路(IC)、微處理器和存儲(chǔ)器等電子元件的制造。憑借其良好的成像質(zhì)量和快速的曝光速度,Nikon NSR 2005i10C非常適合大批量生產(chǎn),同時(shí)其用戶友好的操作界面和高效的自動(dòng)化功能提升了生產(chǎn)效率。這使得Nikon NSR 2005i10C成為現(xiàn)代半導(dǎo)體制造過程中的重要工具,滿足行業(yè)對高質(zhì)量和高效率的需求。
該設(shè)備通過高強(qiáng)度光源將掩模上的圖案逐步投影到涂有光刻膠的晶圓表面。光源發(fā)出特定波長的光線,經(jīng)過高分辨率光學(xué)系統(tǒng),精確地將掩模圖案投影到晶圓上進(jìn)行曝光。曝光后,光刻膠的化學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化,隨后進(jìn)行顯影,去除未曝光或已曝光的光刻膠,從而形成所需的圖案。接著,利用刻蝕工藝將圖案轉(zhuǎn)移到晶圓材料上,最后去除殘留的光刻膠。通過這一系列步驟,Nikon NSR 2005i10C能夠高效地實(shí)現(xiàn)復(fù)雜圖形的精確轉(zhuǎn)移,滿足現(xiàn)代半導(dǎo)體制造的高標(biāo)準(zhǔn)要求。
分辨率 | 0.45µm |
N.A. | 0.57 |
曝光光源 | 365nm |
倍率 | 5:1 |
大曝光現(xiàn)場 | 20mm*20mm |
對準(zhǔn)精度 | LSA:100nm |
Nikon NSR 2005i10C步進(jìn)式光刻機(jī)
光源波長365nm
分辨率優(yōu)于0.45µm
主要用于2寸、4寸、6寸及8寸生產(chǎn)線
廣泛應(yīng)用于化合物半導(dǎo)體、MEMS、LED等
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