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簡要描述:高真空互聯(lián)物理氣相薄膜沉積系統(tǒng)可用于制備光學薄膜、電學薄膜、磁性薄膜、硬質(zhì)保護薄膜和裝飾薄膜等,工藝性能穩(wěn)定、模塊化結(jié)構(gòu),采用行業(yè)優(yōu)質(zhì)的軟件控制系統(tǒng);4英寸鍍膜區(qū)域內(nèi)片內(nèi)膜厚不均勻性:≤±2.5%,8英寸鍍膜區(qū)域內(nèi)片內(nèi)膜厚不均勻性:≤±3.5%,測定標準以Ti靶材,濺射200——500nm厚薄膜,邊緣去5mm,隨機5點取樣測定為準。
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一、高真空互聯(lián)物理氣相薄膜沉積系統(tǒng)概述:
沉積系統(tǒng)可用于制備光學薄膜、電學薄膜、磁性薄膜、硬質(zhì)保護薄膜和裝飾薄膜等,工藝性能穩(wěn)定、模塊化結(jié)構(gòu),采用行業(yè)頂尖的軟件控制系統(tǒng);4英寸鍍膜區(qū)域內(nèi)片內(nèi)膜厚不均勻性:≤±2.5%,8英寸鍍膜區(qū)域內(nèi)片內(nèi)膜厚不均勻性:≤±3.5%,測定標準以Ti靶材,濺射200——500nm厚薄膜,邊緣去5mm,隨機5點取樣測定為準。
樣品托面中心到地面的高度約1360mm;
鍍膜材料適用于:Au、Ag、Pt、W、Mo、Ta、Ti、Al、Si、Cu、Fe、Ni、氧化鋁,氧化鈦,氧化鋯,ITO,AZO,氮化鉭,氮化鈦等;
二、PVD平臺概述:既專注單一功能、又可通過拓展實現(xiàn)多平臺聯(lián)動:
1、 關(guān)鍵部件接口都為標準接口,可以通過更換功能單元實現(xiàn)電子束、電阻蒸發(fā)、有機蒸發(fā)、多靶或單靶磁控濺射、離子束、多弧、樣品離子清洗等功能;
2、 系統(tǒng)平臺為準無油系統(tǒng),提供更優(yōu)質(zhì)的超潔凈實驗環(huán)境,保障實驗結(jié)果的可靠性和重復性;
3、 系統(tǒng)可以選擇單靶單樣品、多靶單樣品等多層沉積方式;
4、 靶基距具有腔外手動調(diào)節(jié)功能;
5、 系統(tǒng)設(shè)置一鍵式操作,可以實現(xiàn)自動手動切換、遠程控制、遠程協(xié)助等功能;
6、 控制軟件分級權(quán)限管理,采用配方式自動工藝流程,提供開放式工藝編輯、存儲與調(diào)取執(zhí)行、歷史數(shù)據(jù)分析等功能,可以不斷更新和升級;
7、 可以提供網(wǎng)絡(luò)和手機端查詢控制功能(現(xiàn)場要具備局域網(wǎng)絡(luò)),實現(xiàn)隨時查詢數(shù)據(jù)記錄、分析統(tǒng)計等功能;
8、 節(jié)能環(huán)保,設(shè)備能耗優(yōu)化后運行功率相比之前節(jié)能10%;;
9、 可用于標準鍍膜產(chǎn)品小批量生產(chǎn)。
三、互聯(lián)系統(tǒng)技術(shù)描述
真空互聯(lián)系統(tǒng)由物理氣相沉積磁控濺射系統(tǒng)A、物理氣相沉積磁控濺射系統(tǒng)B、物理氣相沉積、電子束及熱阻蒸發(fā)鍍膜系統(tǒng)A、物理氣相沉積電子束及熱阻蒸發(fā)鍍膜系統(tǒng)B、進樣室、出樣室、傳輸管、機械手等組成,可以實現(xiàn)樣品在真空環(huán)境下不同工藝方法的樣品薄膜制備和傳遞。
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